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参数资料
型号： APTGV30H60T3G
厂商： MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP
元件分类： IGBT 晶体管
英文描述： 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
封装： ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN
文件页数： 3/9页
文件大小： 368K
代理商： APTGV30H60T3G
APTGV30H60T3G
A
P
TG
V
30H
60T3G
–Re
v
0
J
une
,20
07
www.microsemi.com
3-9
1.2 Top fast diode characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VRRM
Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage
600
V
Tj = 25°C
25
IRM
Maximum Reverse Leakage Current
VR=600V
Tj = 125°C
500
A
IF
DC Forward Current
Tc = 80°C
25
A
IF = 25A
1.8
2.2
IF = 50A
2.2
VF
Diode Forward Voltage
IF = 25A
Tj = 125°C
1.6
V
Tj = 25°C
30
trr
Reverse Recovery Time
Tj = 125°C
175
ns
Tj = 25°C
55
Qrr
Reverse Recovery Charge
IF = 25A
VR = 400V
di/dt =200A/s
Tj = 125°C
485
nC
RthJC
Junction to Case Thermal resistance
1.4
°C/W
2. Bottom switches
2.1 Bottom Fast NPT IGBT characteristics
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
600
V
TC = 25°C
42
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
30
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
100
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
140
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
Tj = 125°C
60A@500V
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
250
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 600V
Tj = 125°C
500
A
Tj = 25°C
1.7
2.0
2.45
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE =15V
IC = 30A
Tj = 125°C
2.2
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE, IC = 1mA
4
6
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
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PDF描述
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