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参数资料
| 型号： | APTGV30H60T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 9/9页 |
| 文件大小： | 368K |
| 代理商： | APTGV30H60T3G |
APTGV30H60T3G
A
P
TG
V
30H
60T3G
–Re
v
0
J
une
,20
07
www.microsemi.com
9-9
Cies
Cres
Coes
10
100
1000
10000
0
1020
304050
C,
Capaci
ta
n
ce
(pF
)
Capacitance vs Collector to Emitter Voltage
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
Impe
da
n
ce
(
°C
/W
)
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Operating Frequency vs Collector Current
hard
switching
ZCS
ZVS
0
40
80
120
160
200
240
280
0
1020
3040
50
IC, Collector Current (A)
F
max
,Operati
n
g
F
requ
ency
(
kHz
)
VCE = 400V
D = 50%
RG = 6.8
TJ = 125°C
TC= 75°C
7.2 Bottom diode typical performance curves
T
J=-55°C
T
J=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
60
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
F, Anode to Cathode Voltage (V)
I F
,F
o
rw
ar
d
C
u
rre
n
t(
A
)
Forw ard Current vs Forw ard Voltage
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Rectangular Pulse Duration (Seconds)
The
rm
al
Im
pe
da
n
ce
(°
C
/W
)
Maxim um Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein
Microsemi's products are covered by one or more of U.S patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. U.S and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| APTGV50H60T3G | 80 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| APTM100A13S | 65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM100A13S | 65 A, 1000 V, 0.156 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM100A18FTG | 43 A, 1000 V, 0.216 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| APTM100A46FT1G | 19 A, 1000 V, 0.552 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| APTGV50H120BTPG | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP6P RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGV50H120T3G | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:NPT & Trench + Field Stop® 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGV50H60BG | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP4 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
| APTGV50H60BT3G | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MODULE - IGBT - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:MOD IGBT NPT 600V SP3 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:POWER MOSFET TRANSISTOR |
| APTGV50H60T3G | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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