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参数资料
| 型号： | APTGV30H60T3G |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 50 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP3, 25 PIN |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 368K |
| 代理商： | APTGV30H60T3G |
APTGV30H60T3G
A
P
TG
V
30H
60T3G
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www.microsemi.com
8-9
VGE = 15V
10
20
30
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1020
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70
ICE, Collector to Emitter Current (A)
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Time
(ns
)
Turn-On Delay Time vs Collector Current
Tj = 125°C
VCE = 400V
RG = 6.8
VGE=15V,
TJ=25°C
VGE=15V,
TJ=125°C
25
50
75
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20
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Turn-Off Delay Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 6.8
VGE=15V,
TJ=125°C
0
10
20
30
40
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ICE, Collector to Emitter Current (A)
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Current Rise Time vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 6.8
TJ = 25°C
TJ = 125°C
0
10
20
30
40
50
0
102030
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ICE, Collector to Emitter Current (A)
tf
,
Fa
ll
Time
(
n
s)
Current Fall Time vs Collector Current
VCE = 400V, VGE = 15V, RG = 6.8
TJ=125°C,
VGE=15V
0
0.25
0.5
0.75
1
0
10
20304050
60
70
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
on
,Turn-On
Energy
Los
s(mJ)
Turn-On Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
RG = 6.8
TJ = 125°C
0
0.5
1
1.5
2
0
10
2030
4050
60
70
ICE, Collector to Emitter Current (A)
E
off
,Turn-off
Energy
Loss
(mJ)
Turn-Off Energy Loss vs Collector Current
VCE = 400V
VGE = 15V
RG = 6.8
Eon, 30A
Eoff, 30A
0
0.25
0.5
0.75
1
0
5
10
15
20
25
Gate Resistance (Ohms)
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
S
w
it
chi
ng
Energy
Los
ses
(m
J)
VCE = 400V
VGE = 15V
TJ= 125°C
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20
30
40
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600
I C
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lle
ct
or
C
u
rr
ent
(
A
)
Reverse Bias Safe Operating Area
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| APTGV50H60T3G | 功能描述:IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3 RoHS:是 类别:半导体模块 >> IGBT 系列:- 标准包装:10 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 配置:单一 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:600V Vge, Ic时的最大Vce（开）:1.4V @ 15V，100A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:430A 电流 - 集电极截止（最大）:100µA Vce 时的输入电容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 输入:标准 NTC 热敏电阻:无 安装类型:底座安装 封装/外壳:SOT-227-4，miniBLOC 供应商设备封装:SOT-227B |
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