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参数资料
| 型号： | APTGV50H120BTPG |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP6-P, MODULE-21 |
| 文件页数： | 13/13页 |
| 文件大小： | 426K |
| 代理商： | APTGV50H120BTPG |
APTGV50H120BTPG
A
P
TG
V50H
120
BTPG
–
R
ev
0
Se
pte
m
be
r,
2007
www.microsemi.com
9-13
8. Full bridge bottom switches curves
8.1 Bottom fast NPT IGBT typical performance curves
Output characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
40
80
120
160
200
02
468
Ic
,
Col
lect
o
rCurrent
(A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Output Characteristics (VGE=10V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
10
20
30
40
50
01
2
3
4
Ic
,
Col
le
ctor
C
urrent
(
A
)
VCE, Collector to Emitter Voltage (V)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Transfer Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
50
100
150
200
250
300
04
8
12
16
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
Ic
,
Col
lect
o
rCurrent
(A
)
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Gate Charge
VCE=240V
VCE=600V
VCE=960V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
0
50
100
150
200
250
300
350
Gate Charge (nC)
V
GE
,Gat
et
o
E
m
it
ter
V
o
lt
age
(
V
)
IC = 50A
TJ = 25°C
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13141516
VGE, Gate to Emitter Voltage (V)
On state Voltage vs Gate to Emitter Volt.
V
CE
,
C
o
lle
ct
o
rt
o
Emi
tt
er
Vo
lt
ag
e(
V
)
TJ = 25°C
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
Ic=100A
Ic=50A
Ic=25A
0
1
2
3
4
5
6
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
V
CE
,
C
o
lle
ct
o
rt
o
Emi
tt
er
Vo
lt
ag
e(
V
)
On state Voltage vs Junction Temperature
250s Pulse Test
< 0.5% Duty cycle
VGE = 15V
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
1.05
1.10
1.15
1.20
25
50
75
100
125
TJ, Junction Temperature (°C)
C
o
ll
ect
or
to
Em
it
ter
Break
d
o
wn
Vo
ltage
(N
or
ma
lize
d
)
Breakdown Voltage vs Junction Temp.
0
10
20
30
40
50
60
70
25
50
75
100
125
150
TC, Case Temperature (°C)
Ic
,D
C
o
lle
ct
o
rC
u
rr
ent
(
A
)
DC Collector Current vs Case Temperature
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PDF描述 |
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参数描述 |
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