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参数资料
| 型号： | APTGV50H120BTPG |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP6-P, MODULE-21 |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 426K |
| 代理商： | APTGV50H120BTPG |
APTGV50H120BTPG
A
P
TG
V50H
120
BTPG
–
R
ev
0
Se
pte
m
be
r,
2007
www.microsemi.com
2-13
All ratings @ Tj = 25°C unless otherwise specified
1. Full bridge top switches
1.1 Top Trench + Field Stop IGBT characteristics
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Max ratings
Unit
VCES
Collector - Emitter Breakdown Voltage
1200
V
TC = 25°C
75
IC
Continuous Collector Current
TC = 80°C
50
ICM
Pulsed Collector Current
TC = 25°C
100
A
VGE
Gate – Emitter Voltage
±20
V
PD
Maximum Power Dissipation
TC = 25°C
270
W
RBSOA Reverse Bias Safe Operating Area
TJ = 125°C
100A @ 1150V
Electrical Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Tj = 25°C
250
ICES
Zero Gate Voltage Collector Current
VGE = 0V
VCE = 1200V
Tj = 125°C
500
A
Tj = 25°C
1.4
1.7
2.1
VCE(sat)
Collector Emitter saturation Voltage
VGE =15V
IC = 50A
Tj = 125°C
2.0
V
VGE(th)
Gate Threshold Voltage
VGE = VCE , IC = 2mA
5.0
5.8
6.5
V
IGES
Gate – Emitter Leakage Current
VGE = 20V, VCE = 0V
400
nA
Dynamic Characteristics
Symbol Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Cies
Input Capacitance
3600
Crss
Reverse Transfer Capacitance
VGE = 0V,VCE = 25V
f = 1MHz
160
pF
Td(on)
Turn-on Delay Time
90
Tr
Rise Time
30
Td(off)
Turn-off Delay Time
420
Tf
Fall Time
Inductive Switching (25°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 50A
RG = 18
70
ns
Td(on)
Turn-on Delay Time
90
Tr
Rise Time
50
Td(off)
Turn-off Delay Time
520
Tf
Fall Time
Inductive Switching (125°C)
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 50A
RG = 18
90
ns
Eon
Turn-on Switching Energy
Tj = 125°C
5
Eoff
Turn-off Switching Energy
VGE = ±15V
VBus = 600V
IC = 50A
RG = 18
Tj = 125°C
5.5
mJ
RthJC
Junction to Case Thermal resistance
0.45
°C/W
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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