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参数资料
| 型号： | APTGV50H120BTPG |
| 厂商： | MICROSEMI POWER PRODUCTS GROUP |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, SP6-P, MODULE-21 |
| 文件页数： | 4/13页 |
| 文件大小： | 426K |
| 代理商： | APTGV50H120BTPG |
APTGV50H120BTPG
A
P
TG
V50H
120
BTPG
–
R
ev
0
Se
pte
m
be
r,
2007
www.microsemi.com
12 - 13
9. Boost chopper switches curves
9.1 Fast NPT IGBT typical performance curves
Output Characteristics (VGE=15V)
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
0
123
45
6
VCE (V)
I C
(A)
Output Characteristics
VGE=15V
VGE=12V
VGE=20V
VGE=9V
0
25
50
75
100
125
150
175
200
01
234
5
6
VCE (V)
I C
(A)
TJ = 125°C
Transfert Characteristics
TJ=25°C
TJ=125°C
0
25
50
75
100
125
150
175
200
56
78
9
10
11
12
VGE (V)
I C
(A)
Energy losses vs Collector Current
Eon
Eoff
0
5
10
15
20
25
30
35
0
25
50
75 100 125 150 175 200
IC (A)
E
(
m
J)
VCE = 600V
VGE = 15V
RG = 5.6
TJ = 125°C
Eon
Eoff
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
1020
304050
Gate Resistance (ohms)
E
(
m
J)
VCE = 600V
VGE =15V
IC = 100A
TJ = 125°C
Switching Energy Losses vs Gate Resistance
Reverse Bias Safe Operating Area
0
50
100
150
200
250
0
300
600
900
1200
1500
VCE (V)
I C
(A
)
VGE=15V
TJ=125°C
RG=5.6
maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case vs Pulse Duration
0.9
0.7
0.5
0.3
0.1
0.05
Single Pulse
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.2
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
rectangular Pulse Duration (Seconds)
Ther
m
al
Impeda
nce
(
°C
/W)
IGBT
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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