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参数资料
| 型号： | AS6C4008-55PCN |
| 厂商： | ALLIANCE MEMORY INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | IC,AS6C4008-55PCN,DIP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V |
| 中文描述： | 512K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDIP32 |
| 封装： | 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-32 |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 1335K |
| 代理商： | AS6C4008-55PCN |
WRITE CYCLE 1
(WE# Controlled) (1,2,3,5,6)
Dout
Din
Data Valid
tDW
tDH
(4)
High-Z
tWHZ
WE#
tWP
tCW
CE#
tWR
tAS
tAW
Address
tWC
(4)
TOW
WRITE CYCLE 2
(CE# Controlled) (1,2,5,6)
Dout
Din
Data Valid
tDW
tDH
(4)
High-Z
tWHZ
WE#
tWP
tCW
CE#
tWR
tAS
tAW
Address
tWC
Notes :
1.WE#, CE# must be high during all address transitions.
2.A write occurs during the overlap of a low CE#, low WE#.
3.During a WE# controlled write cycle with OE# low, tWP must be greater than tWHZ + tDW to allow the drivers to turn off and data to be
placed on the bus.
4.During this period, I/O pins are in the output state, and input signals must not be applied.
5.If the CE# low transition occurs simultaneously with or after WE# low transition, the outputs remain in a high impedance state.
6.tOW and tWHZ are specified with CL = 5pF. Transition is measured ±500mV from steady state.
2009
512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM
AS6C4008
AUG09 v1.4
Alliance Memory Inc
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PDF描述 |
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