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参数资料
| 型号： | AS6C4008-55PCN |
| 厂商： | ALLIANCE MEMORY INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | IC,AS6C4008-55PCN,DIP-32 LP SRAM,55NS,512K X 8,2.7-5.5V |
| 中文描述： | 512K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDIP32 |
| 封装： | 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-32 |
| 文件页数： | 12/14页 |
| 文件大小： | 1335K |
| 代理商： | AS6C4008-55PCN |
DATA RETENTION CHARACTERISTICS
PARAMETER
SYMBOL TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
VCC for Data Retention
VDR
CE#
V
≧ CC
- 0.2V
1.5
-
5.5
V
-LL
-
2
30
A
Data Retention Current
IDR
VCC = 1.5V
CE#
V
≧ CC
- 0.2V -LLE/-LLI
-
2
30
A
Chip Disable to Data
Retention Time
tCDR
See Data Retention
Waveforms (below)
0
-
ns
Recovery Time
tR
tRC*
-
ns
tRC* = Read Cycle Time
DATA RETENTION WAVEFORM
Vcc
CE#
VDR ≧ 1.5V
CE#
V
≧
cc-0.2V
Vcc(min.)
VIH
tR
tCDR
VIH
Vcc(min.)
2009
512K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM
AS6C4008
AUG09 v1.4
Alliance Memory Inc
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PDF描述 |
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