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参数资料
| 型号： | AS6C6264-55PCN |
| 厂商： | ALLIANCE MEMORY INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | IC,AS6C6264-55PCN,DIP-28 LP SRAM,55NS,8K X 8,2.7-5.5V |
| 中文描述： | 8K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDIP28 |
| 封装： | 0.600 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-28 |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 851K |
| 代理商： | AS6C6264-55PCN |
8K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM
FEATURES
Access time :55ns
Low power consumption:
Operation current :
15mA (TYP.), VCC = 3.0V
Standby current :
1 A (TYP.), VCC = 3.0V
Wide range power supply : 2.7 ~ 5.5V
Fully static operation
Tri-state output
Data retention voltage :
1.5V (MIN.)
All products ROHS Compliant
Package : 28-pin 600 mil PDIP
28-pin 330 mil SOP
28-pin 8mm x 13.4mm sTSOP
GENERAL DESCRIPTION
The AS6C6264 is a 65,536-bit low power CMOS
static random access memory organized as 8,192
words by 8 bits. It is fabricated using very high
performance, high reliability CMOS technology. Its
standby current is stable within the range of
operating temperature.
The AS6C6264 is well designed for low power
application, and particularly well suited for battery
back-up nonvolatile memory application.
The AS6C6264 operates with wide range power
supply.
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
DE C ODE R
I/O DATA
C IR C UIT
C ONTR OL
C IR C UIT
8K x8
ME MOR Y AR R AY
C OLUM N I/O
A0-A12
Vcc
Vss
DQ0-DQ7
C E #
WE #
OE #
C E 2
PIN DESCRIPTION
SYMBOL
DESCRIPTION
A0 - A12
Address Inputs
DQ0 – DQ7
Data Inputs/Outputs
CE#, CE2
Chip Enable Inputs
WE#
Write Enable Input
OE#
Output Enable Input
VCC
Power Supply
VSS
Ground
NC
No Connection
Fully Compatible with all Competitors 5V product
Fully Compatible with all Competitors 3.3V product
All inputs and outputs TTL compatible
February 2007
AS6C6264
02/Feb/07, v1.0
Alliance Memory Inc
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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