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参数资料
| 型号： | AT28BV256-20SU |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 6/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 256KBIT 200NS 28SOIC |
| 标准包装： | 27 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 并行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 200ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-SOIC W |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1458 (CN2011-ZH PDF) |
6. DC and AC Operating Range
AT28BV256-20
Operating Temperature (Case)
V CC Power Supply
7. Operating Modes
-40°C - 85°C
2.7V - 3.6V
X
Mode
Read
Write (2)
Standby/Write Inhibit
Write Inhibit
Write Inhibit
Output Disable
CE
V IL
V IL
V IH
X
X
X
OE
V IL
V IH
(1)
X
V IL
V IH
WE
V IH
V IL
X
V IH
X
X
I/O
D OUT
D IN
High Z
High Z
Chip Erase
V IL
V H
(3)
V IL
High Z
Notes:
1. X can be V IL or V IH .
2. Refer to AC programming waveforms.
3. V H = 12.0V ± 0.5V.
8. DC Characteristics
Symbol
I LI
I LO
I SB
I CC
Parameter
Input Load Current
Output Leakage Current
V CC Standby Current CMOS
V CC Active Current
Condition
V IN = 0V to V CC + 1V
V I/O = 0V to V CC
CE = V CC - 0.3V to V CC + 1V
f = 5 MHz; I OUT = 0 mA
Min
Max
10
10
50
15
Units
μA
μA
μA
mA
V IL
V IH
Input Low Voltage
Input High Voltage
2.0
0.6
V
V
V OL
V OH
Output Low Voltage
Output High Voltage
I OL = 1.6 mA
I OH = -100 μA
2.0
0.3
V
V
6
AT28BV256
0273K–PEEPR–2/09
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PDF描述 |
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| AT28BV256-20TI | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 256K 2.7V - 3.6V SDP- 200NS IND TEMP RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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