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参数资料
| 型号： | AT28HC64B |
| 厂商： | Atmel Corp. |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8K x 8 High Speed Parallel EEPROM with Page Write and Software Data Protection(8K x 8高速并行EEPROM带分页写数据保护和软件数据保护) |
| 中文描述： | 8K的× 8页的高速写入和软件数据保护并行的EEPROM（8K的× 8高速并行EEPROM的带分页写数据保护和软件数据保护） |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 324K |
| 代理商： | AT28HC64B |
AT28HC64B
4
Notes:
1. X can be V
IL
or V
IH
.
2. Refer to the
“
AC Write Waveforms
”
diagrams in this datasheet.
3. V
H
= 12.0V
±
0.5V.
Note:
1. I
SB1
and I
SB2
for the 55 ns part is 40 mA maximum.
DC and AC Operating Range
AT28HC64B-55
AT28HC64B-70
AT28HC64B-90
AT28HC64B-120
Operating
Temperature (Case)
Com.
0
°
C - 70
°
C
0
°
C - 70
°
C
0
°
C - 70
°
C
0
°
C - 70
°
C
Ind.
-40
°
C - 85
°
C
-40
°
C - 85
°
C
-40
°
C - 85
°
C
V
CC
Power Supply
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
5V
±
10%
Operating Modes
Mode
CE
OE
WE
I/O
Read
V
IL
V
IL
V
IH
D
OUT
Write
(2)
V
IL
V
IH
X
(1)
V
IL
D
IN
Standby/Write Inhibit
V
IH
X
High Z
Write Inhibit
X
X
V
IH
Write Inhibit
X
V
IL
X
Output Disable
X
V
IH
X
High Z
Chip Erase
V
IL
V
H
(3)
V
IL
High Z
DC Characteristics
Symbol
Parameter
Condition
Min
Max
Units
I
LI
Input Load Current
V
IN
= 0V to V
CC
+ 1V
10
μA
I
LO
Output Leakage Current
V
I/O
= 0V to V
CC
10
μA
I
SB1
V
CC
Standby Current CMOS
CE = V
CC
- 0.3V to V
CC
+ 1V
Com., Ind.
100
(1)
μA
I
SB2
V
CC
Standby Current TTL
CE = 2.0V to V
CC
+ 1V
2
(1)
mA
I
CC
V
CC
Active Current
f = 5 MHz; I
OUT
= 0 mA
40
mA
V
IL
Input Low Voltage
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 2.1 mA
I
OH
= -400
μA
0.40
V
V
OH
Output High Voltage
2.4
V
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