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参数资料
| 型号： | AT45DB011B-XU |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 26/32页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FLASH 1MBIT 20MHZ 14TSSOP |
| 标准包装： | 96 |
| 格式 - 存储器： | 闪存 |
| 存储器类型： | DataFLASH |
| 存储容量： | 1M（512 页 x 264 字节） |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 14-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
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Figure 1. Algorithm for Sequentially Programming or Reprogramming the Entire Array
START
provide address
and data
BUFFER WRITE
(84H)
MAIN MEMORY PAGE PROGRAM
(82H)
BUFFER to MAIN
MEMORY PAGE PROGRAM
(83H)
END
Notes:
26
1. This type of algorithm is used for applications in which the entire array is programmed sequentially, filling the array page-by-
page.
2. A page can be written using either a Main Memory Page Program operation or a Buffer Write operation followed by a Buffer
to Main Memory Page Program operation.
3. The algorithm above shows the programming of a single page. The algorithm will be repeated sequentially for each page
within the entire array.
AT45DB011B
1984J–DFLASH–06/06
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AISM-1812-680K-T | INDUCTOR CHIP 68UH 130MA SMD |
| T95Y476K6R3CSAL | CAP TANT 47UF 6.3V 10% 2910 |
| IXDN409SI | IC MOSFET DRVR 9A LOSIDE 8-SOIC |
| SDR0403-330KL | INDUCTOR POWER 33UH 0.64A 0403 |
| 395-072-541-204 | CARD EDGE 72POS DL .100X.200 BLK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AT45DB011D | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:1-megabit 2.7-volt Minimum DataFlash |
| AT45DB011D_07 | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:1-megabit 2.7-volt DataFlash |
| AT45DB011D_08 | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:1-megabit 2.7-volt Minimum DataFlash |
| AT45DB011D_09 | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:1-megabit 2.7-volt Minimum DataFlash |
| AT45DB011D-DWF | 制造商:Adesto Technologies Corporation 功能描述:1M DATAFLASH, 8-UDFN,IND,GRN,NIPDAU - 1MB, DATAFLASH, WAFER, - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film 制造商:Adesto Technologies Corporation 功能描述:DIE/WAFER FLASH 1MBIT 66MHZ |
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