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参数资料
| 型号： | AT49BV040A |
| 厂商： | Atmel Corp. |
| 英文描述： | 4-megabit (512K x 8) Single 2.7-volt Battery-Voltage⑩ Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（为512k × 8）单2.7伏电池电压⑩闪存 |
| 文件页数： | 1/17页 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | AT49BV040A |
1
Features
Single Supply for Read and Write: 2.7 to 3.6V
Fast Read Access Time – 70 ns
Internal Program Control and Timer
Sector Architecture
– One 16K Bytes Boot Block with Programming Lockout
– Two 8K Bytes Parameter Blocks
– Eight Main Memory Blocks (One 32K Bytes, Seven 64K Bytes)
Fast Erase Cycle Time – 7 Seconds
Byte-by-Byte Programming – 30 μs/Byte Typical
Hardware Data Protection
DATA Polling for End of Program Detection
Low Power Dissipation
– 15 mA Active Current
– 50 μA CMOS Standby Current
Typical 10,000 Write Cycles
Description
The AT49BV040A is a 2.7-volt-only in-system reprogrammable Flash Memory. Its
4 megabits of memory is organized as 524,288 words by 8 bits. Manufactured with
Atmel’s advanced nonvolatile CMOS technology, the device offers access times to
70 ns with power dissipation of just 54 mW over the commercial temperature range.
4-megabit
(512K x 8)
Single 2.7-volt
Battery-Voltage
Flash Memory
AT49BV040A
Rev. 3358A–FLASH–6/03
PLCC Top View
Pin Configurations
Pin Name
Function
A0 - A18
Addresses
CE
Chip Enable
OE
Output Enable
WE
Write Enable
I/O0 - I/O7
Data Inputs/Outputs
5
6
7
8
9
10
11
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13
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A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
A14
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
4
3
2
1
3
3
3
1
1
1
1
1
1
2
I
I
G
I
I
I
I
A
A
A
A
V
W
A
VSOP Top View (8 x 14 mm) or
TSOP Top View (8 x 20 mm)
Type 1
1
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30
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23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
A14
A17
WE
VCC
A18
A16
A15
A12
A7
A6
A5
A4
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
A3
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