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参数资料
| 型号： | AT49BV040A |
| 厂商： | Atmel Corp. |
| 英文描述： | 4-megabit (512K x 8) Single 2.7-volt Battery-Voltage⑩ Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位（为512k × 8）单2.7伏电池电压⑩闪存 |
| 文件页数： | 7/17页 |
| 文件大小： | 182K |
| 代理商： | AT49BV040A |
7
AT49BV040A
3358A–FLASH–6/03
AC Read Waveforms
(1)(2)(3)(4)
Notes:
1. CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address transition without impact on t
ACC
.
2. OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address change
without impact on t
ACC
.
3. t
DF
is specified from OE or CE whichever occurs first (CL = 5 pF).
4. This parameter is characterized and is not 100% tested.
AC Read Characteristics
Symbol
Parameter
AT49BV040A-70
Units
Min
Max
t
ACC
Address to Output Delay
70
ns
t
CE
(1)
CE to Output Delay
70
ns
t
OE
(2)
OE to Output Delay
0
35
ns
t
DF
(3)(4)
CE or OE to Output Float
0
25
ns
t
OH
Output Hold from OE, CE or
Address, whichever occurred first
0
ns
ADDRESS
OUTPUT
VALID
HIGH Z
OUTPUT
OE
CE
t
ACC
t
OE
t
DF
t
OH
t
CE
ADDRESS VALID
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PDF描述 |
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