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参数资料
| 型号： | AT49BV8192AT |
| 厂商： | Atmel Corp. |
| 英文描述： | 8-Megabit 1M x 8/ 512K x 16 CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆100万× 8 /为512k × 16的CMOS闪存 |
| 文件页数： | 11/16页 |
| 文件大小： | 246K |
| 代理商： | AT49BV8192AT |
AT49BV008A(T)/8192A(T)
11
Program Cycle Waveforms
Sector or Chip Erase Cycle Waveforms
Notes:
1.
2.
OE must be high only when WE and CE are both low.
For chip erase, the address should be 5555. For sector erase, the address depends on what sector is to be erased.
(See note 4 under command definitions.)
For chip erase, the data should be 10H, and for sector erase, the data should be 30H.
3.
Program Cycle Characteristics
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Units
t
BP
Byte/Word Programming Time
30
μ
s
t
AS
Address Set-up Time
0
ns
t
AH
Address Hold Time
100
ns
t
DS
Data Set-up Time
100
ns
t
DH
Data Hold Time
0
ns
t
WP
Write Pulse Width
100
ns
t
WPH
Write Pulse Width High
50
ns
t
EC
Erase Cycle Time
10
seconds
OE
INPUT DATA
ADDRESS
A0
55
5555
5555
AA
2AAA
tBP
tWPH
tWP
CE
WE
tAS
tAH
tDH
tDS
5555
AA
PROGRAM CYCLE
A0-A18
DATA
OE
(1)
AA
80
55
55
5555
5555
AA
2AAA
2AAA
tWPH
tWP
CE
WE
tAS
tAH
tEC
tDH
tDS
5555
A0-A18
DATA
Note 2
Note 3
BYTE/
WORD 0
BYTE/
WORD 1
BYTE/
WORD 2
BYTE/
WORD 3
BYTE/
WORD 4
BYTE/
WORD 5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AT49BV8192AT-12CC | 8-Megabit 1M x 8/ 512K x 16 CMOS Flash Memory |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| AT49BV8192AT-11TC | 功能描述:IC FLASH 8MBIT 110NS 48TSOP 制造商:microchip technology 系列:- 包装:托盘 零件状态:停產 存储器类型:非易失 存储器格式:闪存 技术:FLASH 存储容量:8Mb （1M x 8，512K x 16） 写周期时间 - 字，页:30μs 访问时间:110ns 存储器接口:并联 电压 - 电源:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C（TC） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商器件封装:48-TSOP 基本零件编号:AT49BV8192 标准包装:96 |
| AT49BV8192AT-11TI | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:EEPROM|FLASH|512KX16/1MX8|CMOS|TSSOP|48PIN|PLASTIC |
| AT49BV8192AT-12CC | 制造商:ATMEL 制造商全称:ATMEL Corporation 功能描述:8-Megabit 1M x 8/ 512K x 16 CMOS Flash Memory |
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