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参数资料
| 型号： | AT49BV8192AT |
| 厂商： | Atmel Corp. |
| 英文描述： | 8-Megabit 1M x 8/ 512K x 16 CMOS Flash Memory |
| 中文描述： | 8兆100万× 8 /为512k × 16的CMOS闪存 |
| 文件页数： | 9/16页 |
| 文件大小： | 246K |
| 代理商： | AT49BV8192AT |
AT49BV008A(T)/8192A(T)
9
AC Read Waveforms
(1)(2)(3)(4)
Notes:
1.
2.
CE may be delayed up to t
ACC
- t
CE
after the address transition without impact on t
ACC
.
OE may be delayed up to t
CE
- t
OE
after the falling edge of CE without impact on t
CE
or by t
ACC
- t
OE
after an address change
without impact on t
ACC
.
t
DF
is specified from OE or CE whichever occurs first (C
L
= 5 pF).
This parameter is characterized and is not 100% tested.
Input Test Waveforms and Measurement Level
3.
4.
AC Read Characteristics
Symbol
Parameter
AT49BV008A(T)/8192A(T)-12
AT49BV008A(T)/8192A(T)-15
AT49BV008A(T)/8192A(T)-20
Units
Min
Max
Min
Max
Min
Max
t
ACC
Address to
Output Delay
120
150
200
ns
t
CE
(1)
CE to Output Delay
120
150
200
ns
t
OE
(2)
OE to Output Delay
0
50
0
70
0
70
ns
t
DF
(3)(4)
CE or OE to
Output Float
0
30
0
40
0
40
ns
t
OH
Output Hold from OE,
CE or Address,
whichever occurred first
0
0
0
ns
t
RO
RESET to Output Delay
800
800
800
ns
OE
RESET
CE
tCE
tOE
tRO
tACC
tDF
tOH
ADDRESS
HIGH Z
OUTPUT
OUTPUT
VALID
ADDRESS VALID
t
, t
< 5 ns
Pin Capacitance
f = 1 MHz, T = 25
°
C
(1)
Output Test Load
Note:
1. This parameter is characterized and is not 100% tested.
Typ
Max
Units
Conditions
C
IN
4
6
pF
V
IN
= 0V
C
OUT
8
12
pF
V
OUT
= 0V
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PDF描述 |
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