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参数资料
| 型号： | AT49SV12804-70TI |
| 厂商： | ATMEL CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 128-megabit (8M x 16) Burst/Page Mode 1.8-volt Flash Memory |
| 中文描述： | 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PDSO56 |
| 封装： | 14 X 20 MM, PLASTIC, M0-142EC, TSOP1-56 |
| 文件页数： | 36/41页 |
| 文件大小： | 397K |
| 代理商： | AT49SV12804-70TI |
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36
AT49SN/SV12804 [Preliminary]
3314A–FLASH–4/04
Table 6.
Common Flash Interface Definition for AT49SN/SV12804
Address
AT49SN/SV12804
Comments
10h
11h
12h
13h
14h
15h
16h
17h
18h
19h
1Ah
1Bh
1Ch
1Dh
1Eh
1Fh
20h
21h
22h
23h
24h
25h
26h
27h
28h
29h
2Ah
2Bh
2Ch
2Dh
2Eh
2Fh
30h
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37h
38h
0051h
0052h
0059h
0003h
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0041h
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0000h
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0000h
0016h
0019h
00B5h
00C5h
0004h
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0009h
0011h
0004h
0000h
0003h
0003h
0018h
0001h
0000h
0000h
0000h
0003h
00FDh
0000h
0000h
0001h
0007h
0000h
0020h
0000h
0007h
0000h
0020h
0000h
“Q”
“R”
“Y”
VCC min write/erase
VCC max write/erase
VPP min voltage
VPP max voltage
Typ word write – 16 μs
Typ block erase – 500 ms
Typ chip erase – 131,000 ms
Max word write/typ time
n/a
Max block erase/typ block erase
Max chip erase/ typ chip erase
Device size
x16 device
x16 device
Multiple byte write not supported
Multiple byte write not supported
3 regions, x = 3
64K bytes, Y = 253
64K bytes, Y = 253
64K bytes, Z = 256
64K bytes, Z = 256
8K bytes, Y = 7
8K bytes, Y = 7
8K bytes, Z = 32
8K bytes, Z = 32
8K bytes, Y = 7
8K bytes, Y = 7
8K bytes, Z = 32
8K bytes, Z = 32
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| AT49SV163DT-80TU | 功能描述:闪存 Parallel 闪存 1.8V 80NS, GR RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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