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参数资料
| 型号： | AT91SAM7S256C-MU |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 14/165页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC ARM7 MCU 32BIT 256K 64QFN |
| 标准包装： | 260 |
| 系列： | SAM7S |
| 核心处理器： | ARM7 |
| 芯体尺寸： | 16/32-位 |
| 速度： | 55MHz |
| 连通性： | I²C，SPI，SSC，UART/USART，USB |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，DMA，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 32 |
| 程序存储器容量： | 256KB（256K x 8） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| RAM 容量： | 64K x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 1.65 V ~ 1.95 V |
| 数据转换器： | A/D 8x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 64-VFQFN 裸露焊盘 |
| 包装： | 托盘 |
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110
SAM7S Series [DATASHEET]
6175M–ATARM–26-Oct-12
Figure 19-5. Command State Chart
In order to guarantee valid operations on the Flash memory, the field Flash Microsecond Cycle Number (FMCN) in
the Flash Mode Register MC_FMR must be correctly programmed (see “MC Flash Mode Register” on page 115).
19.2.4.1
Flash Programming
Several commands can be used to program the Flash.
The Flash technology requires that an erase must be done before programming. The entire memory plane can be
erased at the same time, or a page can be automatically erased by clearing the NEBP bit in the MC_FMR register
before writing the command in the MC_FCR register.
By setting the NEBP bit in the MC_FMR register, a page can be programmed in several steps if it has been erased
before (see Figure 19-6).
Check if FRDY flag set
No
Yes
Read Status: MC_FSR
Write FCMD and PAGENB in MC_FCR
Check if LOCKE flag set
Check if FRDY flag set
No
Read Status: MC_FSR
Yes
Locking region violation
No
Check if PROGE flag set
Yes
No
Bad keyword violation and/or Invalid command
Command Successful
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PDF描述 |
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参数描述 |
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