参数资料
| 型号： | ATA6823C-PHQW |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 16/27页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOTOR DVR H-BRIDGE 32QFN |
| 标准包装： | 4,000 |
| 应用： | H 桥，PWM 电机控制器 |
| 评估套件： | 可供 |
| 输出数： | 1 |
| 电流 - 输出： | 100mA |
| 电压 - 负载： | 7 V ~ 21.2 V |
| 电源电压： | 7 V ~ 21.2 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 32-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 32-QFN（7x7） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | ATA6823C-PHQW-ND |
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8.
Electrical Characteristics
All parameters given are valid for V THUV ≤ V VBAT ≤ V THOV and for –40°C ≤ ? ambient ≤ 125°C unless stated otherwise.
No.
Parameters
Test Conditions
Pin
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Type*
1
Power Supply and Supervisor Functions
1.1
Current consumption V VBAT V VBAT = 13.5V (1)
25, 30
I VBAT1
7
mA
A
1.2
1.3
1.4
Current consumption V VBAT
in Standby mode
Internal power supply
Band gap voltage
V VBAT =13.5V
25, 30
2
3
I VBAT2
V INT
V BG
4.94
1.235
50
μA
V
V
A
A
A
1.5
1.5.1
1.6
1.7
1.7.1
Overvoltage threshold Up
V VBAT
Overvoltage threshold
Down V VBAT
Overvoltage threshold
hysteresis V VBAT
Undervoltage threshold Up
V VBAT
Undervoltage threshold
Down V VBAT
30
30
30
30
30
V THOV_UP
V THOV_DOWN
V TOVhys
V THUV_UP
V THUV_DOWN
21.2
19.8
1
6.8
6.5
22.7
21.3
2.4
7.4
7.0
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
1.8
1.9
Undervoltage threshold
hysteresis V VBAT
On resistance of V VBAT
switch
Measured during
qualification only
V VBAT = 13.5V
30
31
V TUVhys
R ON_VBATSW
0.2
0.6
100
V
Ω
A
A
2
5V/3.3V Regulator
2.1
2.2
2.3
2.4
2.5
2.6
2.7
Regulated output voltage
Regulated output voltage
Line regulation
Load regulation
Output current limitation
Serial inductance to C VCC
including PCB
Serial resistance to C VCC
including PCB
9V < V VBAT < 40V
I load = 0mA to 100mA
6V < V VBAT ≤ 9V
I load = 0mA to 100mA
I load = 0mA to 100mA
I load = 0mA to 100mA
V VBAT > 6V
29
29
29
29
29
29
29
V CC1
V CC2
DC line
regulation
DC load
regulation
I OS1
ESL
ESR
4.85
(3.2)
4.75
(3.2)
100
1
0
<1
<10
5.15
(3.4)
5.25
(3.4)
50
50
350
20
0.5
V
V
mV
mV
mA
nH
Ω
A
A
A
A
A
D
D
* Type: A = 100% tested, B = 100% correlation tested, C = Characterized on samples, D = Design parameter
Notes:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
EN, DIR, PWM = high
The use of X7R material is recommended
For higher values, stability at zero load is not guaranteed
Tested during qualification only
Value depends on T OSC ; function tested with digital test pattern
Tested during characterization only
Supplied by charge pump
See section “Cross Conduction Time”
Voltage between source-drain of external switching transistors in active case
10. The short-circuit message will never be generated for switch-on time < t sc
Atmel ATA6823C [DATASHEET]
9209E–AUTO–03/12
16
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