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参数资料
型号： ATF-50189-BLK
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
封装： LEAD FREE PACKAGE-3
文件页数： 4/21页
文件大小： 350K
代理商： ATF-50189-BLK
12
Notes:
1. S parameter is measured on a microstrip line
made on 0.025 inch thick alumina carrier. The
input reference plane is at the end of the gate
lead. The output reference plane is at the end
of the drain lead.
Figure 32. MSG/MAG & |S21|
2 vs Frequency
at 4.5V/200 mA.
FREQUENCY (GHz)
MSG/MAG
&
|S21|
2
(dB)
018
2
4
6
8
10
12
14
16
40
30
20
10
0
-10
-20
-30
MSG
MAG
S21
ATF-50189 Typical Scattering Parameters at 25
°C, VDS = 4.5V, IDS = 200 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
MSG/MAG
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
dB
0.1
0.924
-131.8
31.0
35.392
111.6
-37.1
0.014
31.1
0.682
-161.3
34.0
0.2
0.918
-157.9
25.6
19.011
97.5
-35.9
0.016
23.7
0.731
-172.0
30.7
0.3
0.918
-168.9
22.2
12.87
90.7
-35.9
0.016
23.0
0.743
-176.8
29.1
0.4
0.917
-175.7
19.7
9.706
85.9
-35.4
0.017
23.9
0.746
-180.0
27.6
0.5
0.914
178.9
17.7
7.686
84.4
-34.9
0.018
27.7
0.749
176.2
26.3
0.6
0.914
174.8
16.2
6.438
81.8
-34.4
0.019
29.8
0.749
173.9
25.3
0.7
0.916
171.1
14.9
5.583
79.2
-34.0
0.020
31.7
0.749
171.8
24.5
0.8
0.917
167.7
13.9
4.94
76.5
-33.2
0.022
32.9
0.747
169.8
23.5
0.9
0.918
164.3
12.9
4.433
73.7
-32.8
0.023
33.8
0.748
167.8
22.8
1
0.918
161.2
12.1
4.025
70.9
-32.0
0.025
34.2
0.747
165.9
22.1
1.1
0.919
159.8
11.7
3.852
69.5
-31.7
0.026
34.2
0.747
165.0
21.7
1.2
0.920
158.3
11.3
3.679
68.0
-31.7
0.026
34.2
0.747
164.0
21.5
1.3
0.920
155.6
10.6
3.377
65.1
-31.4
0.027
34.0
0.746
162.3
21.0
1.4
0.917
152.7
9.9
3.126
62.2
-30.8
0.029
33.6
0.747
160.5
20.3
1.5
0.916
152.3
9.3
2.911
59.6
-30.5
0.030
33.3
0.747
158.7
19.9
1.6
0.920
147.7
8.7
2.718
56.6
-29.9
0.032
32.5
0.747
156.9
19.3
1.7
0.919
144.8
8.1
2.547
53.7
-29.6
0.033
31.7
0.747
155.1
18.1
1.8
0.918
142.2
7.6
2.392
51.1
-29.1
0.035
30.9
0.747
153.6
17.3
1.9
0.917
139.8
7.0
2.251
48.4
-28.9
0.036
29.9
0.747
151.9
16.6
2
0.918
137.2
6.5
2.122
45.7
-28.6
0.037
28.8
0.746
150.3
16.1
2.1
0.916
134.7
6.1
2.008
43.1
-28.4
0.038
27.7
0.747
148.6
15.5
2.2
0.917
132.1
5.6
1.907
40.4
-28.2
0.039
26.6
0.746
147.0
15.1
2.3
0.913
129.8
5.2
1.811
37.7
-28.0
0.040
25.3
0.745
145.7
14.4
2.4
0.911
127.2
4.7
1.72
35.3
-27.7
0.041
24.2
0.746
144.2
13.9
2.5
0.907
125.1
4.3
1.645
33.1
-27.3
0.043
23.2
0.762
142.5
13.5
3
0.918
112.7
2.3
1.303
20.9
-26.6
0.047
16.8
0.761
135.8
11.9
3.5
0.912
99.5
0.7
1.08
10.7
-26.0
0.050
12.6
0.798
131.8
10.4
4
0.923
92.6
-0.6
0.93
0.5
-26.0
0.050
6.2
0.799
122.0
9.7
5
0.922
78.2
-3.5
0.67
-20.4
-25.8
0.051
-6.7
0.800
102.3
7.2
6
0.921
61.3
-5.8
0.513
-42.1
-26.5
0.053
-26.9
0.808
84.7
5.3
7
0.921
41.2
-8.3
0.386
-60.0
-26.0
0.050
-40.1
0.809
69.9
3.1
8
0.922
24.3
-10.3
0.305
-80.4
-26.7
0.046
-56.8
0.843
54.8
2.1
9
0.923
11.8
-12.5
0.238
-101.3
-28.4
0.038
-74.6
0.881
37.1
1.3
10
0.922
10.8
-14.8
0.183
-108.5
-31.1
0.028
-82.9
0.895
27.3
-0.1
11
0.921
0.3
-16.0
0.158
-126.0
-34.4
0.019
-110.5
0.872
20.5
-1.7
12
0.924
-8.0
-17.8
0.129
-138.1
-46.0
0.005
-155.4
0.917
7.3
-1.4
13
0.923
-12.1
-19.3
0.109
-152.2
-40.0
0.010
73.6
0.878
-0.8
-4.5
14
0.922
-20.6
-21.3
0.086
-168.0
-37.1
0.014
33.1
0.883
-7.3
-6.6
15
0.925
-23.6
-21.3
0.086
177.1
-39.2
0.011
-0.7
0.865
-19.0
-7.1
16
0.925
-23.1
-21.1
0.088
166.0
-37.1
0.014
-7.2
0.865
-26.0
-6.9
17
0.924
-24.3
-19.1
0.111
154.3
-43.1
0.007
-179.9
0.857
-33.4
-4.9
18
0.924
-32.5
-17.0
0.141
134.0
-35.4
0.017
159.5
0.837
-42.2
-3.0
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PDF描述
ATF-50189-TR1 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
ATF-50189-TR1 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-50189-BLK C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-50189-BLKG C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-50189-TR1G C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
相关代理商/技术参数
参数描述
ATF-50189-TR1 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-50189-TR2 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Hi gh Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF501P8 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Agilent ATF-501P8 High Linearity Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in 2x2 mm2 LPCC Package
ATF-501P8 制造商:Avago Technologies 功能描述:MOSFET RF POWERPAK
ATF-501P8-BLK 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
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