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参数资料
型号： ATF-50189-BLK
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
封装： LEAD FREE PACKAGE-3
文件页数： 6/21页
文件大小： 350K
代理商： ATF-50189-BLK
14
Notes:
1. S parameter is measured on a microstrip line
made on 0.025 inch thick alumina carrier. The
input reference plane is at the end of the gate
lead. The output reference plane is at the end
of the drain lead.
Figure 34. MSG/MAG & |S21|
2 vs Frequency
at 5.5V/280 mA.
FREQUENCY (GHz)
MSG/MAG
&
|S21|
2
(dB)
018
2
4
6
8
10
12
14
16
40
30
20
10
0
-10
-20
-30
MSG
MAG
S21
ATF-50189 Typical Scattering Parameters at 25
°C, VDS = 5.5V, IDS = 280 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
MSG/MAG
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
dB
0.1
0.921
-132.3
31.4
36.968
111.4
-37.7
0.013
31.1
0.651
-160.8
34.5
0.2
0.916
-158.2
26.0
19.86
97.3
-36.5
0.015
23.9
0.698
-171.7
31.2
0.3
0.917
-169.1
22.6
13.453
90.5
-36.5
0.015
23.3
0.709
-176.6
29.5
0.4
0.915
-175.9
20.1
10.143
85.6
-35.9
0.016
24.4
0.712
-179.8
28.0
0.5
0.913
178.7
18.1
8.037
84.1
-35.4
0.017
28.1
0.716
176.2
26.7
0.6
0.914
174.5
16.6
6.733
81.3
-34.9
0.018
30.2
0.715
173.8
25.7
0.7
0.916
170.9
15.3
5.837
78.6
-34.4
0.019
32.0
0.715
171.6
24.9
0.8
0.916
167.4
14.3
5.163
75.8
-33.6
0.021
33.2
0.713
169.6
23.9
0.9
0.918
164.1
13.3
4.632
72.9
-33.2
0.022
34.1
0.714
167.6
23.2
1
0.919
160.8
12.5
4.205
70.0
-32.8
0.023
34.4
0.712
165.7
22.6
1.1
0.920
159.4
12.1
4.024
68.5
-32.4
0.024
34.4
0.712
164.8
22.2
1.2
0.921
157.9
11.7
3.842
67.0
-32.0
0.025
34.4
0.712
163.8
21.9
1.3
0.920
155.2
10.9
3.525
64.0
-31.7
0.026
34.2
0.711
162.0
21.3
1.4
0.917
152.3
10.3
3.261
61.0
-31.4
0.027
33.8
0.713
160.2
20.4
1.5
0.917
149.8
9.6
3.031
58.3
-30.8
0.029
33.4
0.713
158.4
19.5
1.6
0.920
147.2
9.0
2.832
55.3
-30.5
0.030
32.7
0.713
156.6
18.9
1.7
0.920
144.3
8.5
2.656
52.3
-30.2
0.031
31.8
0.713
154.8
18.1
1.8
0.919
141.7
7.9
2.490
49.6
-29.6
0.033
31.1
0.714
153.2
17.4
1.9
0.918
139.2
7.4
2.342
46.8
-29.4
0.034
30.0
0.714
151.6
16.8
2
0.919
136.7
6.9
2.206
44.1
-29.1
0.035
29.0
0.714
150.0
16.3
2.1
0.917
134.1
6.4
2.089
41.4
-28.9
0.036
27.8
0.715
148.2
15.7
2.2
0.919
131.5
5.9
1.982
38.6
-28.6
0.037
26.8
0.715
146.6
15.3
2.3
0.916
129.3
5.4
1.870
35.8
-28.4
0.038
25.4
0.714
144.8
14.7
2.4
0.912
126.6
5.0
1.784
33.4
-28.2
0.039
24.3
0.715
143.8
14.1
2.5
0.909
124.5
4.6
1.707
31.0
-28.0
0.040
23.3
0.732
142.1
13.7
3
0.909
112.2
2.6
1.345
18.4
-27.1
0.044
16.9
0.734
135.3
11.7
3.5
0.912
99.5
0.8
1.091
8.3
-26.6
0.047
11.5
0.742
131.4
10.2
4
0.923
92.6
-0.5
0.944
-2.0
-26.3
0.048
6.2
0.752
122.9
9.5
5
0.922
78.2
-3.4
0.678
-23.9
-25.7
0.052
-5.8
0.771
102.2
7.0
6
0.921
61.3
-5.8
0.514
-46.3
-26.2
0.049
-22.8
0.791
84.0
5.2
7
0.921
41.2
-8.3
0.383
-64.8
-26.6
0.047
-39.7
0.802
69.1
3.1
8
0.922
24.3
-10.5
0.298
-85.4
-27.3
0.043
-55.8
0.841
54.0
2.0
9
0.923
11.8
-12.8
0.230
-106.2
-29.1
0.035
-73.3
0.883
36.5
1.2
10
0.922
10.8
-14.9
0.179
-114.3
-31.7
0.026
-81.6
0.900
27.0
0
11
0.921
0.3
-16.4
0.151
-132.9
-35.4
0.017
-112
0.879
20.6
-1.8
12
0.924
-8.0
-18.3
0.121
-145.5
-48.0
0.004
-174.6
0.924
8.0
-1.5
13
0.923
-12.1
-20.1
0.099
-162.1
-37.7
0.013
75.2
0.885
0.6
-5.1
14
0.922
-20.6
-22.2
0.078
-177.8
-35.9
0.016
38.6
0.889
-5.1
-7.2
15
0.925
-23.6
-22.9
0.072
168.0
-38.4
0.012
11.1
0.872
-15.9
-8.4
16
0.925
-23.1
-22.9
0.072
158.3
-37.1
0.014
5.1
0.873
-21.8
-8.4
17
0.924
-24.3
-20.4
0.096
150.1
-43.1
0.007
155.8
0.867
-27.8
-5.8
18
0.924
-32.5
-18.1
0.125
133.1
-36.5
0.015
146.2
0.855
-34.7
-3.7
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PDF描述
ATF-50189-TR1 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
ATF-50189-TR1 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-50189-BLK C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-50189-BLKG C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
ATF-50189-TR1G C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
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参数描述
ATF-50189-TR1 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-50189-TR2 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Hi gh Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF501P8 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Agilent ATF-501P8 High Linearity Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in 2x2 mm2 LPCC Package
ATF-501P8 制造商:Avago Technologies 功能描述:MOSFET RF POWERPAK
ATF-501P8-BLK 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
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