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参数资料
型号： ATF-50189-TR1
厂商： AGILENT TECHNOLOGIES INC
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封装： SOT-89, 3 PIN
文件页数： 11/21页
文件大小： 165K
代理商： ATF-50189-TR1
19
Notes:
1. S parameter is measured on a microstrip line
made on 0.025 inch thick alumina carrier. The
input reference plane is at the end of the gate
lead. The output reference plane is at the end
of the drain lead.
Figure 39. MSG/MAG & |S21|
2 vs Frequency
at 3.5V/360 mA.
FREQUENCY (GHz)
MSG/MAG
&
|S21|
2
(dB)
018
2
4
6
8
10
12
14
16
40
30
20
10
0
-10
-20
-30
MSG
MAG
S21
ATF-50189 Typical Scattering Parameters at 25
°C, VDS = 3.5V, IDS = 360 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
MSG/MAG
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
dB
0.1
0.925
-134.2
30.4
33.142
110.8
-38.4
0.012
31.9
0.73
-166.7
34.4
0.2
0.923
-159.4
25.0
17.732
97.1
-37.1
0.014
25.7
0.77
-174.9
31.0
0.3
0.924
-170.0
21.6
11.996
90.5
-36.5
0.015
25.7
0.78
-179.0
29.0
0.4
0.923
-176.6
19.1
9.042
85.8
-35.9
0.016
27.1
0.79
178.1
27.5
0.5
0.922
178.1
17.1
7.165
84.5
-35.9
0.016
31.4
0.79
174.8
26.5
0.6
0.923
174.1
15.6
6.003
81.9
-34.9
0.018
33.6
0.79
172.6
25.2
0.7
0.924
170.5
14.3
5.206
79.4
-34.4
0.019
35.5
0.79
170.5
24.4
0.8
0.925
167.1
13.3
4.608
76.8
-34.0
0.02
36.6
0.79
168.5
23.6
0.9
0.927
163.6
12.3
4.138
74.0
-33.2
0.022
37.5
0.79
166.5
22.7
1
0.928
160.5
11.5
3.757
71.2
-32.4
0.024
37.7
0.79
164.6
21.9
1.1
0.929
159.1
11.1
3.596
69.8
-32.0
0.025
37.7
0.79
163.6
21.6
1.2
0.929
157.6
10.7
3.435
68.3
-32.0
0.025
37.6
0.79
162.6
21.4
1.3
0.929
154.8
10.0
3.152
65.4
-31.7
0.026
37.1
0.79
160.8
20.8
1.4
0.925
152.0
9.3
2.918
62.5
-31.1
0.028
36.6
0.79
158.9
20.2
1.5
0.926
149.5
8.7
2.713
59.9
-30.8
0.029
36.1
0.79
157.1
19.1
1.6
0.927
146.8
8.1
2.535
57.0
-30.2
0.031
35.1
0.79
155.3
18.5
1.7
0.927
144.1
7.5
2.380
54.1
-29.9
0.032
34.1
0.79
153.4
17.8
1.8
0.927
141.3
7.0
2.231
51.5
-29.4
0.034
33.0
0.79
151.8
17.1
1.9
0.926
138.9
6.4
2.098
48.8
-29.1
0.035
31.8
0.79
150.0
16.5
2
0.926
136.4
5.9
1.977
46.2
-28.9
0.036
30.6
0.79
148.4
15.9
2.1
0.923
133.8
5.4
1.871
43.6
-28.6
0.037
29.3
0.79
146.6
15.3
2.2
0.926
131.2
5.0
1.777
41.0
-28.2
0.039
28.1
0.79
144.9
14.9
2.3
0.922
128.8
4.5
1.684
38.6
-28.0
0.04
26.6
0.79
143.5
14.3
2.4
0.919
126.3
4.1
1.600
36.0
-27.7
0.041
25.3
0.79
142.0
13.8
2.5
0.915
124.2
3.7
1.531
33.8
-27.5
0.042
24.2
0.80
140.3
13.3
3
0.913
111.9
1.6
1.208
21.7
-26.7
0.046
17.2
0.80
133.2
11.3
3.5
0.912
99.5
-0.2
0.982
12.2
-26.6
0.047
10.0
0.80
124.8
9.6
4
0.923
92.6
-1.5
0.846
3.8
-26.4
0.048
2.8
0.81
116.4
9.0
5
0.922
78.2
-4.2
0.618
-18.4
-26.0
0.05
-11.7
0.82
99.5
6.8
6
0.921
61.3
-6.4
0.477
-39.3
-25.7
0.052
-26.1
0.83
82.7
5.0
7
0.921
41.2
-8.9
0.360
-56.8
-26.0
0.05
-39.4
0.83
66.6
2.8
8
0.922
24.3
-10.9
0.286
-76.6
-26.7
0.046
-55.9
0.86
51.6
1.8
9
0.923
11.8
-12.9
0.226
-97.3
-28.4
0.038
-73.5
0.90
34.5
1.3
10
0.922
10.8
-15.0
0.177
-104.9
-31.1
0.028
-81.6
0.91
25.1
0
11
0.921
0.3
-16.4
0.152
-121.3
-34.4
0.019
-108.3
0.89
18.9
-1.6
12
0.924
-8.0
-18.1
0.124
-134.4
-46.0
0.005
-147.3
0.93
6.5
-1.0
13
0.923
-12.1
-19.6
0.105
-148.8
-40.0
0.01
71.0
0.89
-0.7
-4.4
14
0.922
-20.6
-21.2
0.087
-163.5
-37.1
0.014
30.2
0.89
-6.3
-6.2
15
0.925
-23.6
-21.4
0.085
-178.8
-39.2
0.011
-4.9
0.88
-17.1
-6.7
16
0.925
-23.1
-21.2
0.087
167.6
-37.7
0.013
-8.8
0.87
-23.1
-6.9
17
0.924
-24.3
-18.6
0.117
155.7
-41.9
0.008
-173.5
0.87
-29.2
-4.0
18
0.924
-32.5
-16.8
0.145
133.2
-35.4
0.017
161.7
0.85
-36.3
-2.4
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PDF描述
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ATF-501P8-BLKG S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
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参数描述
ATF-50189-TR2 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Hi gh Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF501P8 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Agilent ATF-501P8 High Linearity Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in 2x2 mm2 LPCC Package
ATF-501P8 制造商:Avago Technologies 功能描述:MOSFET RF POWERPAK
ATF-501P8-BLK 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-501P8-BLK 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor
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