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参数资料
| 型号： | ATF-50189-TR1 |
| 厂商： | AGILENT TECHNOLOGIES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 封装： | SOT-89, 3 PIN |
| 文件页数： | 19/21页 |
| 文件大小： | 165K |
| 代理商： | ATF-50189-TR1 |
7
ATF-50189 Typical Performance Curves, continued
Tuned for Optimal OIP3 at Vd = 4.5V, Ids = 280 mA, Over Temperature and Frequency
Figure 15. OIP3 vs. Temperature and
Frequency at optimum OIP3.
FREQUENCY (GHz)
OIP3
(dBm)
04
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
56
52
48
44
40
36
32
28
24
-40
°C
25
°C
85
°C
Figure 16. P1dB vs. Temperature and
Frequency at optimum OIP3.
FREQUENCY (GHz)
P1dB
(dBm)
04
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
32
30
28
26
24
22
20
-40
°C
25
°C
85
°C
Figure 17. Gain vs. Temperature and
Frequency at optimum OIP3.
FREQUENCY (GHz)
GAIN
(dB)
04
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
26
22
18
14
10
6
2
-40
°C
25
°C
85
°C
Figure 18. PAE vs. Temperature and
Frequency at optimum OIP3.
FREQUENCY (GHz)
PAE
(%)
04
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
70
60
50
40
30
20
10
0
-40
°C
25
°C
85
°C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-50189-BLK | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-50189-BLKG | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-50189-TR1G | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-501P8-BLKG | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| ATF-501P8-TR1 | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATF-50189-TR2 | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Hi gh Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| ATF501P8 | 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Agilent ATF-501P8 High Linearity Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in 2x2 mm2 LPCC Package |
| ATF-501P8 | 制造商:Avago Technologies 功能描述:MOSFET RF POWERPAK |
| ATF-501P8-BLK | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| ATF-501P8-BLK | 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor |
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