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参数资料
型号： ATF-50189-TR1
厂商： AGILENT TECHNOLOGIES INC
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封装： SOT-89, 3 PIN
文件页数： 7/21页
文件大小： 165K
代理商： ATF-50189-TR1
15
Notes:
1. S parameter is measured on a microstrip line
made on 0.025 inch thick alumina carrier. The
input reference plane is at the end of the gate
lead. The output reference plane is at the end
of the drain lead.
Figure 35. MSG/MAG & |S21|
2 vs Frequency
at 5.5V/200 mA.
FREQUENCY (GHz)
MSG/MAG
&
|S21|
2
(dB)
018
2
4
6
8
10
12
14
16
40
30
20
10
0
-10
-20
-30
MSG
MAG
S21
ATF-50189 Typical Scattering Parameters at 25
°C, VDS = 5.5V, IDS = 200 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
MSG/MAG
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
dB
0.1
0.922
-131.5
31.3
36.764
111.7
-37.1
0.014
30.8
0.65
-159.4
34.2
0.2
0.917
-157.7
25.9
19.783
97.5
-36.5
0.015
23.2
0.70
-171.0
31.2
0.3
0.916
-168.8
22.5
13.403
90.6
-35.9
0.016
22.1
0.71
-176.1
29.2
0.4
0.914
-175.7
20.1
10.105
85.7
-35.4
0.017
22.9
0.71
-179.5
27.7
0.5
0.912
178.8
18.1
8.007
84.1
-34.9
0.018
26.5
0.72
176.4
26.5
0.6
0.913
174.7
16.5
6.708
81.3
-34.4
0.019
28.6
0.72
174.1
25.5
0.7
0.915
171.0
15.3
5.815
78.7
-34.0
0.02
30.3
0.72
171.8
24.6
0.8
0.916
167.6
14.2
5.144
75.9
-33.6
0.021
31.4
0.71
169.8
23.9
0.9
0.918
164.1
13.3
4.613
72.9
-33.2
0.022
32.4
0.71
167.7
23.2
1
0.918
161.0
12.4
4.188
70.1
-32.4
0.024
32.7
0.71
165.9
22.4
1.1
0.919
159.5
12.1
4.008
68.6
-32.0
0.025
32.8
0.71
164.9
22.0
1.2
0.920
158.0
11.7
3.827
67.1
-32.0
0.025
32.8
0.71
163.9
21.8
1.3
0.920
155.3
10.9
3.512
64.0
-31.7
0.026
32.5
0.71
162.1
21.3
1.4
0.917
152.4
10.2
3.249
61.1
-31.1
0.028
32.2
0.71
160.3
20.6
1.5
0.917
150.0
9.6
3.023
58.4
-30.8
0.029
31.9
0.71
158.5
19.7
1.6
0.919
147.3
9.0
2.821
55.3
-30.5
0.03
31.2
0.71
156.7
19.0
1.7
0.918
144.5
8.5
2.648
52.3
-29.9
0.032
30.4
0.72
154.9
18.3
1.8
0.919
141.8
7.9
2.482
49.6
-29.6
0.033
29.6
0.72
153.3
17.6
1.9
0.918
139.3
7.4
2.333
46.8
-29.4
0.034
28.6
0.72
151.6
16.9
2
0.918
136.7
6.8
2.199
44.1
-29.1
0.035
27.6
0.72
150.0
16.3
2.1
0.917
134.2
6.4
2.082
41.4
-28.9
0.036
26.5
0.72
148.2
15.8
2.2
0.918
131.6
5.9
1.973
38.6
-28.6
0.037
25.4
0.72
146.7
15.3
2.3
0.913
129.4
5.4
1.868
35.7
-28.4
0.038
24.2
0.71
145.1
14.6
2.4
0.912
126.7
5.0
1.778
33.4
-28.2
0.039
23.0
0.72
143.8
14.1
2.5
0.908
124.5
4.6
1.700
31.1
-28.0
0.04
22.1
0.73
142.1
13.6
3
0.907
112.2
2.5
1.340
18.4
-27.1
0.044
15.8
0.74
135.2
11.7
3.5
0.912
99.5
1.4
1.176
7.8
-26.7
0.046
9.7
0.76
126.6
10.8
4
0.923
92.6
0.1
1.012
-2.9
-26.6
0.047
3.5
0.78
117.9
10.3
5
0.922
78.2
-3.3
0.685
-24.1
-26.4
0.048
-10.3
0.82
100.7
7.8
6
0.921
61.3
-5.8
0.512
-46.3
-26.6
0.047
-25.6
0.85
84.1
6.2
7
0.921
41.2
-8.4
0.381
-64.7
-26.7
0.046
-40.9
0.86
67.8
4.0
8
0.922
24.3
-10.5
0.298
-85.4
-27.3
0.043
-56.4
0.87
51.5
2.5
9
0.923
11.8
-12.8
0.230
-106.7
-29.1
0.035
-74.0
0.88
36.5
1.2
10
0.922
10.8
-14.9
0.179
-114.6
-31.7
0.026
-82.1
0.90
27.1
0
11
0.921
0.3
-16.4
0.151
-132.2
-35.4
0.017
-113.8
0.88
20.7
-1.8
12
0.924
-8.0
-18.4
0.120
-145.0
-46.0
0.005
179.4
0.92
8.1
-1.8
13
0.923
-12.1
-20.1
0.099
-161.7
-37.7
0.013
76.2
0.89
0.7
-4.9
14
0.922
-20.6
-22.2
0.078
-176.9
-35.9
0.016
39.1
0.89
-5.0
-7.2
15
0.925
-23.6
-22.9
0.072
171.6
-38.4
0.012
12.7
0.87
-15.8
-8.4
16
0.925
-23.1
-22.4
0.076
160.6
-36.5
0.015
6.4
0.87
-21.7
-8.0
17
0.924
-24.3
-20.1
0.099
151.7
-43.1
0.007
153.6
0.87
-27.7
-5.5
18
0.924
-32.5
-18.1
0.125
131.4
-36.5
0.015
145.0
0.86
-34.6
-3.5
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PDF描述
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ATF-501P8-BLKG S BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
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参数描述
ATF-50189-TR2 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Hi gh Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF501P8 制造商:AGILENT 制造商全称:AGILENT 功能描述:Agilent ATF-501P8 High Linearity Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT in 2x2 mm2 LPCC Package
ATF-501P8 制造商:Avago Technologies 功能描述:MOSFET RF POWERPAK
ATF-501P8-BLK 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-501P8-BLK 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor
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