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参数资料
| 型号： | ATF-58143-TR2 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 封装： | PLASTIC, SC-70, 4 PIN |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 179K |
| 代理商： | ATF-58143-TR2 |
ATF-58143
Low Noise Enhancement Mode Pseudomorphic HEMT
in a Surface Mount Plastic Package
Data Sheet
Description
Avago Technologies’ATF58143 is a high dynamic range,
low noise EPHEMT housed in a 4lead SC70 (SOT343)
surface mount plastic package.
The combination of high gain, high linearity and low
noise makes the ATF58143 ideal as low noise ampli
fier for cellular/PCS/WCDMA base stations, wireless lo
cal loop, and other applications that require low noise
and high linearity performance in the 450 MHz to 6 GHz
frequency range.
Features
Low noise and high linearity performance
Enhancement Mode Technology[1]
Excellent uniformity in product specifications
Low cost surface mount small plastic package SOT
343 (4 lead SC70) in TapeandReel packaging option
available
Leadfree option available
Specifications
2 GHz; 3V, 30 mA (Typ.)
30.5 dBm output 3rd order intercept
19 dBm output power at 1 dB
0.5 dB noise figure
16.5 dB associated gain
Applications
Q1 LNA for cellular/PCS/WCDMA base stations
Q1, Q2 LNA and Predriver amplifier for 3–4 GHz WLL
Other low noise and high linearity applications at 450
MHz to 6 GHz
Note:
1. Enhancement mode technology requires positive Vgs, thereby
eliminating the need for the negative gate voltage associated with
conventional depletion mode devices.
Surface Mount Package SOT-343
Pin Connections and Package Marking
Note:
Top View. Package marking provides orientation and identification
“8F” = Device Code
“x” = Date code character
identifies month of manufacture.
Attention:
Observe precautions for handling
electrostatic sensitive devices.
ESD Machine Model (Class A)
ESD Human Body Model (Class 0)
SOURCE
DRAIN
GATE
SOURCE
8Fx
Refer to Avago Technologies Application Note A004R:
Electrostatic Discharge Damage and Control.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-58143-TR1 | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-58143-BLK | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATP202 | 50 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| ATP202 | 50 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| ATP207 | 65 A, 40 V, 0.0091 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATF-58143-TR2G | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Single Voltage RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| ATF6 | 功能描述:TERM BLOCK DIN RAIL 8MM GRAY RoHS:是 类别:连接器，互连式 >> 接线座 - Din 轨道，通道 系列:ATF 标准包装:1 系列:CLIPLINE UK 类型:断连 断开类型:保险丝，杆 位置数:3 级别数目:1 端子 - 宽度:18.0mm 端接类型:螺钉 电流 - IEC:32A 电压 - IEC:690V 电流 - UL:30A 电压 - UL:600V 线规或范围 - AWG:3-18 AWG 线规或范围 - mm²:1.5-25mm² 特点:- 颜色:黑 保险丝类型:小型，10.3mm x 38mm 材料 - 绝缘体:聚酰胺（PA），尼龙 材料可燃性额定值:UL94 V-0 剥线长度:12mm 其它名称:UK 10.3-HESI N 3POLUK10.3-HESIN3POL |
| ATF6BK | 功能描述:TERM BLOCK DIN RAIL 8MM BLACK RoHS:是 类别:连接器，互连式 >> 接线座 - Din 轨道，通道 系列:ATF 标准包装:1 系列:CLIPLINE UK 类型:断连 断开类型:保险丝，杆 位置数:3 级别数目:1 端子 - 宽度:18.0mm 端接类型:螺钉 电流 - IEC:32A 电压 - IEC:690V 电流 - UL:30A 电压 - UL:600V 线规或范围 - AWG:3-18 AWG 线规或范围 - mm²:1.5-25mm² 特点:- 颜色:黑 保险丝类型:小型，10.3mm x 38mm 材料 - 绝缘体:聚酰胺（PA），尼龙 材料可燃性额定值:UL94 V-0 剥线长度:12mm 其它名称:UK 10.3-HESI N 3POLUK10.3-HESIN3POL |
| ATF6BU | 功能描述:TERM BLOCK DIN RAIL 8MM BLUE RoHS:是 类别:连接器，互连式 >> 接线座 - Din 轨道，通道 系列:ATF 标准包装:1 系列:CLIPLINE UK 类型:断连 断开类型:保险丝，杆 位置数:3 级别数目:1 端子 - 宽度:18.0mm 端接类型:螺钉 电流 - IEC:32A 电压 - IEC:690V 电流 - UL:30A 电压 - UL:600V 线规或范围 - AWG:3-18 AWG 线规或范围 - mm²:1.5-25mm² 特点:- 颜色:黑 保险丝类型:小型，10.3mm x 38mm 材料 - 绝缘体:聚酰胺（PA），尼龙 材料可燃性额定值:UL94 V-0 剥线长度:12mm 其它名称:UK 10.3-HESI N 3POLUK10.3-HESIN3POL |
| ATF6CL110 | 功能描述:SHORT LINK COMB INSUL DIN 10POLE RoHS:是 类别:连接器，互连式 >> 接线座 - 配件 - 跳线 系列:ATF 标准包装:10 系列:- 类型:接线板 － 交叉连接 位置数:4 样式:- 适用于相关产品:接线座 其它名称:FBSTB 4-6 |
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