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参数资料
| 型号： | ATF-58143-TR2 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| 封装： | PLASTIC, SC-70, 4 PIN |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 179K |
| 代理商： | ATF-58143-TR2 |
ATF-58143 Absolute Maximum Ratings[1]
Symbol
Parameter
Units
AbsoluteMaximum
V
DS
DrainSourceVoltage[2]
V
5
V
GS
GateSourceVoltage[2]
V
5to1
V
GD
GateDrainVoltage[2]
V
5to1
I
DS
DrainCurrent[2]
mA
100
P
diss
TotalPowerDissipation[3]
mW
500
P
inmax.
RF InputPower
(Vds=3V , Ids =30mA)
(Vds=0V, Ids=0A)
dBm
+20
I
GS
GateSourceCurrent
mA
2[5]
T
CH
ChannelTemperature
°C
150
T
STG
StorageTemperature
°C
65to150
θ
jc
ThermalResistance[4]
°C/W
162
Notes:
1. Operation of this device above any one of these parameters may
cause permanent damage.
2. Assumes DC quiescent conditions.
3. Source lead temperature is 25°C. Derate 6.2 mW/°C for T
L > 33°C.
4. Thermal resistance measured using 150°C Liquid Crystal Measure
ment method.
5. The device can handle +13 dBm RF Input Power provided I
GS is limited
to 2 mA. I
GS at P1dB drive level is bias circuit dependent. See applications
section for additional information.
Product Consistency Distribution Charts[6,7]
Figure 1. Typical I-V Curves (V
GS=0.1V per step)
VDS (V)
I DS
(mA)
0
7
1
2
3
4
5
6
120
100
80
60
40
20
0
0.7V
0.6V
0.5V
0.4V
0.3V
-150
-125
-100
-75
-50
-25
0
0.3
0.4
0.5
0.6
NF (dB)
0.7
0.8
Cpk=2.735
Stdev=0.049
Figure 2. NF @ 3V, 30 mA.
USL = 0.9, Nominal = 0.5
GAIN (dB)
15
16
17
18
Cpk=1.953
Stdev=0.2610
Figure 3. Gain @ 3V, 30 mA.
USL = 18.5, LSL = 15, Nominal = 16.5
OIP3 (dBm)
28
29
30
31
32
34
33
Cpk=1.036
Stdev=0.509
Figure 4. OIP3 @ 3V, 30 mA.
LSL = 29, Nominal = 30.5
Notes:
6. Distribution data sample size is 500 samples taken from 3 different wafers. Future wafers allocated to this product may have nominal values
anywhere between the upper and lower limits.
7. Measurements made on production test board.This circuit represents a tradeoff between an optimal noise match and a realizeable match based
on production test equipment. Circuit losses have been deembedded from actual measurements.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-58143-TR1 | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATF-58143-BLK | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET |
| ATP202 | 50 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| ATP202 | 50 A, 30 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| ATP207 | 65 A, 40 V, 0.0091 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATF-58143-TR2G | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs Single Voltage RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| ATF6 | 功能描述:TERM BLOCK DIN RAIL 8MM GRAY RoHS:是 类别:连接器，互连式 >> 接线座 - Din 轨道，通道 系列:ATF 标准包装:1 系列:CLIPLINE UK 类型:断连 断开类型:保险丝，杆 位置数:3 级别数目:1 端子 - 宽度:18.0mm 端接类型:螺钉 电流 - IEC:32A 电压 - IEC:690V 电流 - UL:30A 电压 - UL:600V 线规或范围 - AWG:3-18 AWG 线规或范围 - mm²:1.5-25mm² 特点:- 颜色:黑 保险丝类型:小型，10.3mm x 38mm 材料 - 绝缘体:聚酰胺（PA），尼龙 材料可燃性额定值:UL94 V-0 剥线长度:12mm 其它名称:UK 10.3-HESI N 3POLUK10.3-HESIN3POL |
| ATF6BK | 功能描述:TERM BLOCK DIN RAIL 8MM BLACK RoHS:是 类别:连接器，互连式 >> 接线座 - Din 轨道，通道 系列:ATF 标准包装:1 系列:CLIPLINE UK 类型:断连 断开类型:保险丝，杆 位置数:3 级别数目:1 端子 - 宽度:18.0mm 端接类型:螺钉 电流 - IEC:32A 电压 - IEC:690V 电流 - UL:30A 电压 - UL:600V 线规或范围 - AWG:3-18 AWG 线规或范围 - mm²:1.5-25mm² 特点:- 颜色:黑 保险丝类型:小型，10.3mm x 38mm 材料 - 绝缘体:聚酰胺（PA），尼龙 材料可燃性额定值:UL94 V-0 剥线长度:12mm 其它名称:UK 10.3-HESI N 3POLUK10.3-HESIN3POL |
| ATF6BU | 功能描述:TERM BLOCK DIN RAIL 8MM BLUE RoHS:是 类别:连接器，互连式 >> 接线座 - Din 轨道，通道 系列:ATF 标准包装:1 系列:CLIPLINE UK 类型:断连 断开类型:保险丝，杆 位置数:3 级别数目:1 端子 - 宽度:18.0mm 端接类型:螺钉 电流 - IEC:32A 电压 - IEC:690V 电流 - UL:30A 电压 - UL:600V 线规或范围 - AWG:3-18 AWG 线规或范围 - mm²:1.5-25mm² 特点:- 颜色:黑 保险丝类型:小型，10.3mm x 38mm 材料 - 绝缘体:聚酰胺（PA），尼龙 材料可燃性额定值:UL94 V-0 剥线长度:12mm 其它名称:UK 10.3-HESI N 3POLUK10.3-HESIN3POL |
| ATF6CL110 | 功能描述:SHORT LINK COMB INSUL DIN 10POLE RoHS:是 类别:连接器，互连式 >> 接线座 - 配件 - 跳线 系列:ATF 标准包装:10 系列:- 类型:接线板 － 交叉连接 位置数:4 样式:- 适用于相关产品:接线座 其它名称:FBSTB 4-6 |
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