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参数资料
型号： ATF-58143-TR2
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： C BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET
封装： PLASTIC, SC-70, 4 PIN
文件页数： 8/10页
文件大小： 179K
代理商： ATF-58143-TR2
ATF-58143 Typical Scattering Parameters, V
DS = 4V, IDS = 30 mA
Freq.
S
11
S
21
S
12
S
22
MSG/MAG
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
dB
0.1
0.99
16.3
28.16
25.6
169.65
41.08
0.01
81.1
0.65
10.17
34.62
0.5
0.83
94.5
25.82
19.5
125.68
28.95
0.04
46.2
0.45
54.83
27.39
0.9
0.76
133.1
22.52
13.4
104.58
27.00
0.04
33.9
0.33
76.45
24.76
1
0.75
139.7
21.83
12.3
100.73
26.74
0.05
32.0
0.31
80.28
24.29
1.5
0.72
162.2
18.94
8.9
85.42
25.79
0.05
26.9
0.24
95.17
22.37
1.9
0.71
172.7
17.18
7.2
75.68
25.25
0.05
24.8
0.21
104.27
21.21
2
0.70
174.9
16.79
6.9
73.47
25.09
0.06
24.4
0.21
106.18
20.94
2.5
0.69
173.5
14.67
5.4
59.58
24.15
0.06
21.7
0.18
117.35
19.41
3
0.68
161.6
13.05
4.5
46.88
23.33
0.07
19.0
0.16
124.85
18.19
4
0.67
141.9
11.00
3.5
28.55
22.14
0.08
14.1
0.13
137.33
16.57
5
0.69
123.1
9.29
2.9
10.32
21.13
0.09
7.3
0.12
42.65
15.21
6
0.73
108.9
7.73
2.4
7.48
20.28
0.10
1.3
0.13
158.73
14.00
7
0.76
96.3
6.16
2.0
23.78
19.80
0.10
9.7
0.17
125.87
12.98
8
0.79
82.4
4.74
1.7
39.33
19.32
0.11
16.9
0.20
104.88
12.03
9
0.82
71.2
3.63
1.5
55.93
18.49
0.12
26.7
0.25
83.12
11.06
10
0.85
60.1
2.63
1.4
73.30
17.74
0.13
39.3
0.31
61.03
10.19
11
0.87
47.2
1.52
1.2
90.53
17.31
0.14
52.2
0.38
41.33
9.42
12
0.89
36.2
0.38
1.0
106.67 17.12
0.14
64.5
0.44
22.65
8.75
13
0.91
26.6
0.80
0.9
121.58 17.09
0.14
75.2
0.49
6.28
8.15
14
0.93
17.2
2.01
0.8
135.15 17.15
0.14
84.2
0.54
7.48
7.57
15
0.94
9.2
3.24
0.7
148.98 17.22
0.14
94.3
0.59
22.78
6.99
16
0.94
1.2
4.43
0.6
164.25 17.36
0.14
106.1
0.64
39.22
6.46
17
0.92
10.5
5.79
0.5
59.55
17.68
0.13
119.3
0.68
53.35
5.94
18
0.91
17.6
6.74
0.5
170.70
17.94
0.13
127.5
0.69
71.73
5.60
Freq
F
min
Γ
opt
Γ
opt
R
n/50
G
a
GHz
dB
Mag.
Ang.
dB
0.5
0.14
0.38
9.7
0.03
24.85
0.9
0.23
0.36
44.4
0.04
22.21
1.0
0.25
0.35
54.0
0.04
21.51
1.5
0.35
0.32
78.7
0.04
19.21
1.9
0.47
0.3
100.7
0.04
17.71
2.0
0.49
0.3
105.4
0.04
17.39
2.4
0.55
0.28
124.0
0.04
16.25
3.0
0.61
0.3
153.9
0.05
14.86
3.9
0.78
0.35
157.2
0.07
13.51
5.0
0.91
0.42
120.8
0.1
12.05
5.8
1.05
0.49
101.2
0.16
11.14
6.0
1.11
0.53
97.4
0.19
11.14
Notes:
1. F
min values at 2 GHz and higher are based on measurements while the Fmins below 2 GHz have been extrapolated. The Fmin values are based on a
set of 16 noise figure measurements made at 16 different impedances using an ATN NP5 test system. From these measurements F
min is calculated.
Refer to the noise parameter application section for more information.
2. S and noise parameters are measured on a microstrip line made on 0.025 inch thick alumina carrier. The input reference plane is at the end of
the gate lead. The output reference plane is at the end of the drain lead. The parameters include the effect of four plated through via holes con
necting source landing pads on top of the test carrier to the microstrip ground plane on the bottom side of the carrier. Two 0.020 inch diameter
via holes are placed within 0.010 inch from each source lead contact point, one via on each side of that point.
Typical Noise Parameters, V
DS = 4V, IDS = 30 mA
Figure 20. MSG/MAG and S21 vs. Frequency
at 4V, 30 mA.
FREQUENCY (GHz)
MSG/MAG
and
S
21
(dB)
0
20
10
15
5
40
35
30
25
20
15
10
5
0
-5
-10
S21
MSG
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PDF描述
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