- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录395 > ATP102-TL-H (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ATP102-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 40A ATPAK |
| 产品目录绘图： | ATPAK Package P-Channel & N-Channel Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1490pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1536 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 869-1073-6 |
ATP102
.5
--40
--35
ID -- VDS
V
--4
--4.0
V
--50
--45
VDS= --10V
Single pulse
ID -- VGS
--40
--30
--35
--25
--20
--15
VGS= --3.5V
--30
--25
--20
--15
--10
--10
--5
Tc=25 ° C
--5
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
Single pulse
--1.6 --1.8 --2.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
--4.5
--5.0
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
50
45
RDS(on) -- VGS
IT14687
Tc=25 ° C
Single pulse
40
35
RDS(on) -- Tc
IT14688
Single pulse
10
= --
.5V
--4
VGS
V, I D=
V GS=
40
35
30
25
20
ID= --10A
--20A
30
25
20
15
=
, ID
--10
A
--20
A
15
10
10
5
5
--1 --2 --3 --4 --5 --6 --7 --8 --9 --10 --11 --12 --13 --14 --15 --16
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
° C
5 °
--2
= ° C
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
| y fs | -- ID
25
C
Tc 75
IT14689
VDS= --10V
Single pulse
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
--0.01
7
5
3
2
VGS=0V
Single pulse
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT14690
7
--0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
--0.001
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
--1.2
7
5
VDD= --15V
VGS= --10V
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT14691
5
3
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT14692
f=1MHz
3
2
100
7
5
3
2
td(off)
tf
tr
2
1000
7
5
3
2
Ciss
Coss
C rs s
td(on)
10
100
7
--0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
7
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain Current, ID -- A
IT14693
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14694
No. A1479-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP103-TL-H | MOSFET P-CH 30V 55A ATPAK |
| ATP104-TL-H | MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK |
| ATP106-TL-H | MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK |
| ATP107-TL-H | MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK |
| ATP108-TL-H | MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATP103 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP103_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP103-TL-H | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 55A ATPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| ATP104 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP104_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。