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参数资料
| 型号： | ATP103-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 55A ATPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 28A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2430pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ATP103
Taping Speci ? cation
ATP103-TL-H
No. A1623-5/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP104-TL-H | MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK |
| ATP106-TL-H | MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK |
| ATP107-TL-H | MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK |
| ATP108-TL-H | MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK |
| ATP112-TL-H | MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATP104 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP104_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP-104A060B | 制造商:DMC 功能描述: |
| ATP104-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ATP104-TL-HX | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:75A（Ta） 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:76nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3950pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:8.4 毫欧 @ 38A，10V 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:ATPAK 封装/外壳:ATPAK（2 引线 + 接片） 标准包装:3,000 |
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