- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录395 > ATP107-TL-H (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ATP107-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 25A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 47nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ATP107
--50
ID -- VDS
--80
ID -- VGS
--45
Tc=25 ° C
Single pulse
--8
.0
V
--6
.
0V
--70
VDS= --10V
Single pulse
--40
--4.
5V
--60
--35
--30
--25
--20
--15
--4.0V
VGS= --3.5V
--50
--40
--30
--20
--10
--5
--10
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
40
35
30
ID= --13A
RDS(on) -- VGS
IT15168
Tc=25 ° C
Single pulse
40
35
30
RDS(on) -- Tc
IT15169
Single pulse
VGS
= --
4.5V
--2
--10V
25
20
--25A
25
20
15
= --
VGS
=
, ID
, I D=
13A
5A
15
10
10
5
5
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
| y fs | -- ID
VDS= --10V
° C
25
5 °
10 --2
° C
Tc
5
5
5
5
7
5
3
2
5
3
2
1.0
7
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
Single pulse
C
=
7 75
--0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10 2
3
IT15170
5 7 --100
2
--100 VGS=0V
5
7 Single pulse
3
2
--10
7
3
2
--1.0
7
3
2
--0.1
7
3
2
--0.01
7
3
2
--0.001
--0.2 --0.4
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
--0.6 --0.8 --1.0
--1.2
IT15171
--1.4
3
2
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT15172
VDD= --20V
VGS= --10V
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT15173
f=1MHz
1000
7
5
3
2
Ciss
3
2
100
td(off)
tf
1000
7
7
5
3
2
tr
td(on)
5
3
2
Coss
Crss
10
7
--0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
3
5 7 --100
100
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
--35
--40
Drain Current, ID -- A
IT15174
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15175
No. A1603-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP108-TL-H | MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK |
| ATP112-TL-H | MOSFET P-CH 60V 25A ATPAK |
| ATP114-TL-H | MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK |
| ATP201-TL-H | MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK |
| ATP203-TL-H | MOSFET N-CH 30V 75A ATPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATP108 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP108_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP108-TL-H | 功能描述:MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| ATP10ASM | 功能描述:CRYSTAL 10.000 MHZ 20PF SMD RoHS:否 类别:晶体和振荡器 >> 晶体 系列:ATP-SM 标准包装:1 系列:ABLS2 类型:MHz 晶体 频率:3.579545MHz 频率稳定性:±30ppm 频率公差:±30ppm 负载电容:18pF ESR（等效串联电阻）:180 欧姆 工作模式:基谐 工作温度:-40°C ~ 85°C 额定值:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:HC49/US 尺寸/尺寸:0.449" L x 0.185" W（11.40mm x 4.70mm） 高度:0.130"（3.30mm） 包装:剪切带 (CT) 产品目录页面:1683 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:535-9855-1 |
| ATP10DS-GTB | 制造商:Crane Connectors 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。