参数资料
型号: ATP107-TL-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 50A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 17 毫欧 @ 25A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 47nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2400pF @ 20V
功率 - 最大: 50W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: ATPAK(2 引线 + 接片)
供应商设备封装: ATPAK
包装: 带卷 (TR)
ATP107
0 μ
μ s
--10
--9
--8
VDS= --20V
ID= --50A
VGS -- Qg
3
2
--100
7
5
IDP= --150A
ID= --50A
ASO
PW ≤ 10 μ s
10
s
10
--7
3
2
--6
--5
--4
--3
--2
--1
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
Operation in
this area is
limited by RDS(on).
Tc=25 ° C
Single pulse
--0.1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
--0.1
2 3
5 7 --1.0
2
3
5
7 --10
2
3
5
7
60
Total Gate Charge, Qg -- nC
PD -- Tc
IT15176
120
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
EAS -- Ta
IT15177
50
40
30
20
10
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
0
25
50
75
100
125
150
175
Case Temperature, Tc -- ° C
IT15178
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT15179
No. A1603-4/7
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