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参数资料
| 型号： | ATP201-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 18A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 985pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ATP201
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS= 30 V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
30
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID= 18 A
1.2
24
2.6
V
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID= 18 A, VGS=10V
ID= 9 A, VGS=4.5V
VDS=10V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=15V, VGS=10V, ID=35A
IS=35A, VGS=0V
13
23
985
180
100
10
230
51
39
17
4.7
2.8
0.97
17
33
1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
10V
0V
VIN
VIN
VDD=15V
ID=18A
RL=0.83 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
D
VOUT
G
ATP201
P.G
50 Ω
S
Ordering Information
Device
ATP201-TL-H
Package
ATPAK
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1547-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP203-TL-H | MOSFET N-CH 30V 75A ATPAK |
| ATP204-TL-H | MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK |
| ATP206-TL-H | MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK |
| ATP207-TL-H | MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK |
| ATP208-TL-H | MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATP201-V-TL-H | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ATP202 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP202_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP202-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ATP203 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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