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参数资料
| 型号： | ATP201-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 18A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 985pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 30W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | ATPAK（2 引线 + 接片） |
| 供应商设备封装： | ATPAK |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ATP201
6.0
55
50
ID -- VDS
V
Tc=25 ° C
Single pulse
40
35
VDS=10V
Single pulse
ID -- VGS
45
40
30
35
30
25
20
15
10
5
4.5V
VGS=4.0V
25
20
15
10
5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
50
45
40
RDS(on) -- VGS
IT14959
Tc=25 ° C
Single pulse
45
40
35
RDS(on) -- Tc
IT14960
Single pulse
V, I D
=18A
10.0
35
30
25
20
15
ID=9A
18A
30
25
20
15
=4.5
VGS
VG S=
=9A
V, I D
10
5
10
5
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
5
3
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
VDS=10V
Single pulse
IT14961
100
7
5
3
2
VGS=0V
Single pulse
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT14962
2
10
25
° C
10
7
5
3
2
5 °
° C
7
5
3
2
Tc
=
--2
75
C
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
1.0
7
5
0.1
2
3
5
7 1.0
2
3
5
7 10
2
3
5
0.01
7
5
3
2
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
2
1000
7
VDD=15V
VGS=10V
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT14963
3
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT14964
f=1MHz
5
3
2
1000
7
5
Ciss
100
7
5
3
2
10
7
5
td(off)
tf
tr
td(on)
3
2
100
7
5
Coss
Crss
3
2
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7
3
0
5
10
15
20
25
30
Drain Current, ID -- A
IT14965
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14966
No. A1547-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATP203-TL-H | MOSFET N-CH 30V 75A ATPAK |
| ATP204-TL-H | MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK |
| ATP206-TL-H | MOSFET N-CH 40V 40A ATPAK |
| ATP207-TL-H | MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK |
| ATP208-TL-H | MOSFET N-CH 40V 90A ATPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATP201-V-TL-H | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ATP202 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP202_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ATP202-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ATP203 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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