参数资料
| 型号： | ATTINY15L-1PU |
| 厂商： | Atmel |
| 文件页数： | 32/85页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MCU AVR 1K FLASH 1.6MHZ 8-DIP |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | AVR® ATtiny |
| 核心处理器： | AVR |
| 芯体尺寸： | 8-位 |
| 速度： | 1.6MHz |
| 外围设备： | 欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
| 输入/输出数： | 6 |
| 程序存储器容量： | 1KB（512 x 16） |
| 程序存储器类型： | 闪存 |
| EEPROM 大小： | 64 x 8 |
| 电压 - 电源 (Vcc/Vdd)： | 2.7 V ~ 5.5 V |
| 数据转换器： | A/D 4x10b |
| 振荡器型： | 内部 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 包装： | 管件 |
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ATtiny15L
1187H–AVR–09/07
The user should poll the EEWE bit before starting the read operation. If a write operation
is in progress when new data or address is written to the EEPROM I/O Registers, the
write operation will be interrupted and the result is undefined.
The calibrated oscillator is used to time EEPROM. In Table 16 the typical programming
time is listed for EEPROM access from the CPU.
Preventing EEPROM
Corruption
During periods of low V
CC, the EEPROM data can be corrupted because the supply volt-
age is too low for the CPU and the EEPROM to operate properly. These issues are the
same as for board-level systems using the EEPROM and the same design solutions
should be applied.
An EEPROM data corruption can be caused by two situations when the voltage is too
low. First, a regular write sequence to the EEPROM requires a minimum voltage to
operate correctly. Second, the CPU itself can execute instructions incorrectly if the sup-
ply voltage for executing instructions is too low.
EEPROM data corruption can easily be avoided by following these design recommen-
dations (one is sufficient):
1.
Keep the AVR RESET active (low) during periods of insufficient power supply
voltage. This can be done by enabling the internal Brown-out Detector (BOD) if
the operating voltage matches the detection level. If not, an external low V
CC
Reset Protection circuit can be applied.
2.
Keep the AVR core in Power-down sleep mode during periods of low V
CC. This
will prevent the CPU from attempting to decode and execute instructions, effec-
tively protecting the EEPROM Registers from unintentional writes.
3.
Store constants in Flash memory if the ability to change memory contents from
software is not required. Flash memory cannot be updated by the CPU and will
not be subject to corruption.
Table 16. Typical EEPROM Programming Times
Parameter
Number of Calibrated RC
Oscillator Cycles
Min Programming
Time
Max Programming
Time
EEPROM write
(from CPU)
8192
4.6 ms
8.2 ms
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATTINY11-6SU | IC MCU AVR 1K FLASH 6MHZ 8-SOIC |
| MP2-HS024-42 | CONN SHROUD 2-FB 24POS 4ROW |
| ATTINY11-6PU | IC MCU AVR 1K FLASH 6MHZ 8-DIP |
| HM2H08P1LF | HM2H08P1LF SHROUD STYLE B LF |
| HM2H08P109LF | HM2H08P109LF SHROUD STYLE B LF |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATTINY15L-1SC | 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 1K FLASH 64B EE ADC 3V 1.6MHZ RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ATTINY15L-1SC SL383 | 制造商:Atmel Corporation 功能描述:MCU 8-Bit ATtiny AVR RISC 1KB Flash 3.3V/5V 8-Pin SOIC EIAJ T/R |
| ATTINY15L-1SI | 功能描述:8位微控制器 -MCU AVR 1K FLASH 64B EE ADC 3V 1.6MHZ RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
| ATTINY15L-1SI SL383 | 制造商:Atmel Corporation 功能描述:MCU 8-bit ATtiny AVR RISC 1KB Flash 3.3V/5V 8-Pin SOIC EIAJ T/R |
| ATTINY15L-1SITRSL#QS309 | 制造商:Atmel Corporation 功能描述:ATLATTINY15L-1SITRSL#QS309 PGMD FOR AAPL |
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