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参数资料
| 型号： | AUIRFZ44VZS |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 57 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| 封装： | ROHS COMPLAINT, PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 274K |
| 代理商： | AUIRFZ44VZS |
AUIRFZ44VZS
www.irf.com
7
QG
QGS
QGD
VG
Charge
10 V
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V(BR)DSS
IAS
Fig 14. Threshold Voltage Vs. Temperature
RG
IAS
0.01
tp
D.U.T
L
VDS
+
- VDD
DRIVER
A
15V
20V
VGS
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
50
100
150
200
250
300
E
A
S
,S
in
gl
e
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
I D
TOP
3.8A
5.0A
BOTTOM
34A
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
2.0
3.0
4.0
V
G
S
(t
h)
G
at
e
th
re
sh
ol
d
V
ol
ta
ge
(V
)
ID = 250A
1K
VCC
DUT
0
L
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRF44VZSTRL | 57 A, 60 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| AUIRFZ44ZS | 51 A, 55 V, 0.0139 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| AUIRFZ44ZSTRL | 51 A, 55 V, 0.0139 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
| AUIRFZ44Z | 51 A, 55 V, 0.0139 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| AUIRFZ44ZSTRR | 51 A, 55 V, 0.0139 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRFZ44VZSTRL | 功能描述:MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 12mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFZ44VZSTRR | 功能描述:MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 12mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFZ44Z | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.9mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFZ44ZS | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.9mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRFZ44ZSTRL | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.9mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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