参数资料
型号: AUIRLR024NTR
厂商: International Rectifier
文件页数: 7/13页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
标准包装: 2,000
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 17A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 65 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 480pF @ 25V
功率 - 最大: 45W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装: D-Pak
包装: 带卷 (TR)
AUIRLR/U024N
140
TOP
I D
4.5A
15V
120
BOTTOM
7.8A
11A
100
VDS
L
DRIVER
80
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
60
40
20
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
0
V DD = 25V
A
25
50
75
100
125
150
175
Starting T J , Junction Temperature (°C)
I AS
tp
V (BR)DSS
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
- DS
10V
Q GS
Q G
Q GD
12V
V GS
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
V G
3mA
I G
I D
Charge
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
www.irf.com
7
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