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参数资料
| 型号： | AUIRLR024NTR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 17A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 65 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 480pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 45W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
AUIRLR/U024N
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
D.U.T
+
?
Circuit Layout Considerations
? Low Stray Inductance
? Ground Plane
? Low Leakage Inductance
Current Transformer
-
+
?
-
-
?
+
?
R G
Driver Gate Drive
P.W.
Period
?
?
?
?
dv/dt controlled by R G
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
P.W.
D=
Period
+
-
V DD
V GS =10V *
D.U.T. I SD Waveform
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
di/dt
D.U.T. V DS Waveform
Diode Recovery
dv/dt
V DD
Re-Applied
Voltage
Inductor Curent
Body Diode
Ripple ≤ 5%
Forward Drop
I SD
* V GS = 5V for Logic Level Devices
Fig 14. For N-Channel HEXFET ? MOSFET s
8
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AUIRLR2703TR | MOSFET N-CH 30V 20A DPAK |
| AUIRLR3410 | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK |
| AW24MUFL-H2 | 2.4GHZ WIRELESS MODULE U.FL |
| AWAC24U | 2.4GHZ WIRELESS USB DONGLE |
| AWS24S | MODULE WIRELESS USB EXT ANT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRLR024NTRL | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR024NTRR | 功能描述:MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR024Z | 功能描述:MOSFET Automotive FET 55V 7A 58mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR024ZTR | 制造商:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET 55V 7A 58MOHM - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 55V 16A DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Automotive FET 55V 7A 58mOhm |
| AUIRLR024ZTRL | 制造商:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET 55V 7A 58MOHM - Tape and Reel 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N CH 55V 16A DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:Automotive FET 55V 7A 58mOhm |
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