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参数资料
| 型号： | AUIRLR3410 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
AUIRLR3410
Qualification Information
?
Automotive
(per AEC-Q101)
??
Qualification Level
Comments: This part number(s) passed Automotive qualification. IR’s
Industrial and Consumer qualification level is granted by extension of the
higher Automotive level.
Moisture Sensitivity Level
Machine Model
D-PAK
MSL1
Class M4
AEC-Q101-002
ESD
Human Body Model
Class H1C
AEC-Q101-001
Charged Device
Model
RoHS Compliant
Class C5
AEC-Q101-005
Yes
? Qualification standards can be found at International Rectifier?s web site: http//www.irf.com/
?? Exceptions to AEC-Q101 requirements are noted in the qualification report.
10
www.irf.com ? 2014 International Rectifier
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March 17, 2014
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRLR3410TR | 功能描述:MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR3410TRL | 功能描述:MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR3410TRR | 功能描述:MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR3636 | 功能描述:MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR3636 | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET AUTOMOTIVE 60V 50A TO-25 |
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