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参数资料
| 型号： | AUIRLR3410 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
AUIRLR3410
1400
1200
1000
C iss
V GS = 0V, f = 1MHz
C iss =C gs +C gd , C ds SHORTED
C rss =C gd
C oss = C ds + C gd
15
12
I D = 9.0A
V DS = 80V
V DS = 50V
V DS = 20V
800
9
600
400
C oss
C rss
6
3
200
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
A
0
0
10
20
SEE FIGURE 13
30 40
50
A
100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 175°C
1000
100
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
10
T J = 25°C
10
10 μ s
100 μ s
V GS = 0V
1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2 1.4
A
1
1
T C = 25°C
T J = 175°C
Single Pulse
10
1ms
10ms
100
A
1000
V SD , Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating
Area
4
www.irf.com ? 2014 International Rectifier
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March 17, 2014
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| AUIRLR3410TR | 功能描述:MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR3410TRL | 功能描述:MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR3410TRR | 功能描述:MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR3636 | 功能描述:MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| AUIRLR3636 | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET AUTOMOTIVE 60V 50A TO-25 |
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