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参数资料
| 型号： | BAS116LPH4-7B |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 80K |
| 描述： | DIODE 85V 215MA 2-DFN |
| 标准包装： | 1 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 85V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 215mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 150mA |
| 速度： | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 反向恢复时间(trr)： | 3µs |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 5nA @ 75V |
| 电容@ Vr, F： | 1.5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 2-XFDFN |
| 供应商设备封装： | 2-DFN1006H4 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BAS116LPH4-7BDIDKR |
BAS116LPH4
Document number: DS35242 Rev. 5 - 2
3 of 4
www.diodes.com
November 2011
? Diodes Incorporated
BAS116LPH4
NEW PRODUCT
0.000110 20 30 40 50 60 70 80
V , INSTANTANEOUS REVERSE VOLTAGE (V)R
Fig. 3 Typical Reverse Characteristics
I , INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT (μA)
R
0.001
0.01
V , DC REVERSE VOLTAGE (V)R
Fig. 4 Total Capacitance vs. Reverse Voltage
C , TOTAL CAPACITANCE (pF)
T
f=1MHz
0
010203040
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
Package Outline Dimensions
Suggested Pad Layout
X2-DFN1006-2
Dim
Min
Max Typ
A
0.34
0.4 0.37
A1
0
0.05 0.03
b
0.45
0.55 0.50
D
0.95
1.075 1.00
E
0.55
0.675 0.60
E
?
?
0.40
L
0.20
0.30 0.25
R
0.05 0.15 0.10
All Dimensions in mm
Dimensions Value (in mm)
Z
1.1
G
0.3
X
0.7
Y
0.4
C
0.7
L
E
b
R
e
D
A1
A
Z
X
C
G
Y
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS116LT3G | DIODE SWITCH 200MA 75V SOT-23 |
| BAS116T-7-F | DIODE SWITCH 85V 150MW SOT523 |
| BAS116TT1G | DIODE SWITCH 200MA 75V SC75-3 |
| BAS116 | DIODE SWITCH 250MW 85V SOT23-3 |
| BAS16_D87Z | DIODE ULT FAST 85V 200MA SOT23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS116LT1 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 75V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS116LT1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Switching Diode |
| BAS116LT1_04 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Switching Diod |
| BAS116LT1D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Switching Diode |
| BAS116LT1G | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 75V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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