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参数资料
| 型号： | BAS20HT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/3页 |
| 文件大小： | 121K |
| 描述： | DIODE SS SW 200V 200MA SOD-323 |
| 产品变化通告： | Discontinuation 30/Jun/2006 |
| 标准包装： | 3,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 1µA @ 200V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-76，SOD-323 |
| 供应商设备封装： | SOD-323 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
                BAS20HT1, SBAS20HT1G http://onsemi.com 2 Notes: 1. A 2.0 k variable resistor adjusted for a Forward Current (I F) of 30 mA. Notes: 2. Input pulse is adjusted so IR(peak) is equal to 30 mA. Notes: 3. tp ? t rr +10 V 2.0 k 820 0.1 F D.U.T. VR 100 H 0.1 F 50 Output Pulse Generator 50 Input Sampling Oscilloscope tr tp t 10% 90% IF IR trr t iR(REC) = 3.0 mA OUTPUT PULSE (IF = I R = 30 mA; MEASURED at iR(REC) = 3.0 mA) IF INPUT SIGNAL Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit Figure 2. Forward Current Figure 3. Leakage Current 1000 I VF, FORWARD VOLTAGE (V) 0.1 0.2 0.4 0.6 100 10 1.0 0.8 1.0 1.2 1.4 0 100 I VR, REVERSE VOLTAGE (V) 1.0 0.001 50 0 10 0.1 100 150 200 250 0.01 300 125°C 150°C ?40°C 25°C 55°C , REVERSE CURRENT ( A) R , FORWARD CURRENT (mA) F 125°C 150°C ?40°C 25°C 55°C Figure 4. Total Capacitance 2.0 C VR, REVERSE VOLTAGE (V) 0 5.0 10 15 1.8 0.4 0.2 20 25 30 35 0 , TOTAL CAPACITANCE (pF) T 0.8 0.6 1.2 1.0 1.6 1.4 f = 1 MHz IE = 0 A TA = 25 °C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BAS20HT1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:High Voltage Switching Diode |
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| BAS20HT1_12 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode |
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| BAS20L | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Switching Diode |
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