- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录121 > BAS20LT3G (ON Semiconductor)DIODE SWITCH 200MA 200V SOT-23 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | BAS20LT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 66K |
| 描述： | DIODE SWITCH 200MA 200V SOT-23 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 二极管类型： | 标准 |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)： | 200mA（DC） |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 150V |
| 电容@ Vr, F： | 5pF @ 0V，1MHz |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BAS19L, BAS20L, BAS21L, BAS21DW5
http://onsemi.com
2
THERMAL CHARACTERISTICS (SOT?23)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation FR?5 Board
(Note 2)
TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
225
1.8
mW
mW/°C
Thermal Resistance
Junction?to?Ambient (SOT?23)
RJA
556
°C/W
Total Device Dissipation Alumina Substrate
(Note 3)
TA
= 25
°C
Derate above 25°C
PD
300
2.4
mW
mW/°C
Thermal Resistance Junction?to?Ambient
RJA
417
°C/W
Junction and Storage
Temperature Range
TJ, Tstg
?55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS (SC?88A)
Characteristic
Symbol
Max
Unit
Power Dissipation (Note 4)
PD
385
mW
Thermal Resistance ?
Junction?to?Ambient
Derate Above 25°C
RJA
328
3.0
°C/W
mW/°C
Maximum Junction Temperature
TJmax
150
°C
Operating Junction and Storage Temperature Range
TJ, Tstg
?55 to +150
°C
2. FR?5 = 1.0
0.75
0.062 in.
3. Alumina = 0.4
0.3
0.024 in. 99.5% alumina.
4. Mounted on FR?5 Board = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA
= 25
°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
Reverse Voltage Leakage Current
(VR
= 100 Vdc) BAS19
(VR
= 150 Vdc) BAS20
(VR
= 200 Vdc) BAS21
(VR
= 100 Vdc, T
J
= 150
°C) BAS19
(VR
= 150 Vdc, T
J
= 150
°C) BAS20
(VR
= 200 Vdc, T
J
= 150
°C) BAS21
IR
?
?
?
?
?
?
0.1
0.1
0.1
100
100
100
Adc
Reverse Breakdown Voltage
(IBR
= 100
Adc) BAS19
(IBR
= 100
Adc) BAS20
(IBR
= 100
Adc) BAS21
V(BR)
120
200
250
?
?
?
Vdc
Forward Voltage
(IF
= 100 mAdc)
(IF
= 200 mAdc)
VF
?
?
1.0
1.25
Vdc
Diode Capacitance (VR
= 0, f = 1.0 MHz)
CD
?
5.0
pF
Reverse Recovery Time (IF
= I
R
= 30 mAdc, I
R(REC)
= 3.0 mAdc, R
L
= 100)
trr
?
50
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS20 | DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23 |
| BAS21_ND87Z | DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23 |
| BAS216,115 | DIODE SW 75V 250MA HS SOD110 |
| BAS21AHT1G | DIODE SWITCH LL 250V SOD-323 |
| BAS21H,115 | DIODE SWITCH 200V 200MA SOD123 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS20Q-13-F | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:HIVOLT SWITCHING DIODE BVR > 100V SOT |
| BAS20-T | 功能描述:整流器 200mA 200V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| BAS20T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Switching 200V 0.2A 3-Pin TO-236AB T/R |
| BAS20-T1 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
| BAS20-T3 | 制造商:WTE 制造商全称:Won-Top Electronics 功能描述:SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。