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参数资料
| 型号： | BAS216 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | High-speed switching diode |
| 中文描述： | 0.25 A, 85 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | CERAMIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 11/12页 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | BAS216 |
1999 Apr 22
11
Philips Semiconductors
Product specification
High-speed switching diode
BAS216
NOTES
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BAS4 | Schottky Diodes |
| BAS55 | High-speed diode |
| BAS678 | High-speed diode |
| BASFPSERIES | Regulators LSIs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS216 /T3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS216,115 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS216,135 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS216 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SWITCHING SOD-110 |
| BAS216.115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SWITCHING REEL 3K |
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