- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录373007 > BAS216 (NXP SEMICONDUCTORS) High-speed switching diode PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BAS216 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | High-speed switching diode |
| 中文描述： | 0.25 A, 85 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | CERAMIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | BAS216 |
1999 Apr 22
3
Philips Semiconductors
Product specification
High-speed switching diode
BAS216
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Device mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
F
forward voltage
see Fig.3
I
F
= 1 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 50 mA
I
F
= 150 mA
see Fig.5
V
R
= 25 V
V
R
= 75 V
V
R
= 25 V; T
j
= 150
°
C
V
R
= 75 V; T
j
= 150
°
C
f = 1 MHz; V
R
= 0; see Fig.6
when switched from I
F
= 10 mA to
I
R
= 10 mA; R
L
= 100
;
measured at I
R
= 1 mA; see Fig.7
when switched from I
F
= 10 mA;
t
r
= 20 ns; see Fig.8
715
855
1
1.25
mV
mV
V
V
I
R
reverse current
30
1
30
50
1.5
4
nA
μ
A
μ
A
μ
A
pF
ns
C
d
t
rr
diode capacitance
reverse recovery time
V
fr
forward recovery voltage
1.75
V
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-tp
R
th j-a
thermal resistance from junction to tie-point
thermal resistance from junction to ambient
200
315
K/W
K/W
note 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS4 | Low-leakage diode |
| BAS4 | Schottky Diodes |
| BAS55 | High-speed diode |
| BAS678 | High-speed diode |
| BASFPSERIES | Regulators LSIs |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS216 /T3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS216,115 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS216,135 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS216 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SWITCHING SOD-110 |
| BAS216.115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SWITCHING REEL 3K |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。