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参数资料
| 型号： | BAS216 |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 参考电压二极管 |
| 英文描述： | High-speed switching diode |
| 中文描述： | 0.25 A, 85 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封装： | CERAMIC PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 59K |
| 代理商： | BAS216 |
1999 Apr 22
5
Philips Semiconductors
Product specification
High-speed switching diode
BAS216
Fig.5
Reverse current as a function of
junction temperature.
10
5
10
4
10
3
10
2
10
200
0
MSA563
100
IR
(nA)
Tj
o
75 V
25 V
VR
Dotted line: maximum values.
Solid line: typical values.
Fig.6
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
Cd
(pF)
0
4
8
12
16
0
0.4
0.2
0.5
MBH285
VR (V)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS216 /T3 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS216,115 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS216,135 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS216 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SWITCHING SOD-110 |
| BAS216.115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SWITCHING REEL 3K |
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