参数资料
型号: BAS21AVD,165
厂商: NXP Semiconductors
文件页数: 4/11页
文件大小: 222K
描述: DIODE ARRAY SW 200V SOT457R
标准包装: 10,000
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 1.25V @ 200mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 100nA @ 200V
电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管): 200mA(DC)
电压 - (Vr)(最大): 200V
反向恢复时间(trr): 50ns
二极管类型: 标准
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
二极管配置: 3 个独立式
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SC-74,SOT-457
供应商设备封装: 6-TSOP
包装: 带卷 (TR)
NXP Semiconductors
BAS21AVD
High-voltage switching diodes
BAS21AVD
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? NXP N.V. 2013. All rights reserved
Product data sheet
1 August 2013
2
/
11
5.
Pinning information
Table 2.
Pinning information
Pin
Symbol
Description
Simplified outline
Graphic symbol
1
A1
anode (diode 1)
2
A2
anode (diode 2)
3
A3
anode (diode 3)
4
K3
cathode (diode 3)
5
K2
cathode (diode 2)
6
K1
cathode (diode 1)
1
3
2
4
5
6
TSOP6 (SOT457)
006aab106
1
3
6
2
5
4
6.
Ordering information
Table 3.
Ordering information
Package
Type number
Name
Description
Version
BAS21AVD
TSOP6
plastic surface-mounted package (TSOP6); 6 leads
SOT457
7.
Marking
Table 4.
Marking codes
Type number
Marking code
BAS21AVD
E6
8.
Limiting values
Table 5.
Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
VRRM
repetitive peak reverse voltage
-
250
V
VR
reverse voltage
-
200
V
IF
forward current
pulsed; tp
≤ 300 μs; δ
≤ 0.02
[1]
-
200
mA
IFRM
repetitive peak forward current
tp
≤ 1 ms; δ
≤ 25 %
-
1
A
tp
= 10 μs; T
j(init)
= 25 °C; square wave
-
16
A
tp
= 100 μs; T
j(init)
= 25 °C; square wave
-
8
A
IFSM
non-repetitive peak forward
current
tp
= 10 ms; T
j(init)
= 25 °C; square wave
-
2
A
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