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参数资料
| 型号： | BAS21AVD,165 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 222K |
| 描述： | DIODE ARRAY SW 200V SOT457R |
| 标准包装： | 10,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 3 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
BAS21AVD
High-voltage switching diodes
BAS21AVD
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? NXP N.V. 2013. All rights reserved
Product data sheet
1 August 2013
3
/
11
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per device; one diode loaded
[1]
-
250
mW
Ptot
total power dissipation
Tamb
≤ 25 °C
[2]
-
295
mW
Tstg
storage temperature
-65
150
°C
Tj
junction temperature
-
150
°C
Tamb
ambient temperature
-65
150
°C
[1]
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
[2]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2.
9.
Thermal characteristics
Table 6.
Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per device; one diode loaded
[1]
-
-
500
K/W
Rth(j-a)
thermal resistance
from junction to
ambient
in free air
[2]
-
-
425
K/W
Rth(j-sp)
thermal resistance
from junction to solder
point
[3]
-
-
140
K/W
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm2.
[3]
Soldering point of cathode tab.
10.
Characteristics
Table 7.
Characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
IF
= 100 mA; T
amb
= 25 °C
-
-
1
V
VF
forward voltage
IF
= 200 mA; T
amb
= 25 °C
-
-
1.25
V
VR
= 200 V; pulsed; t
p
≤ 300 μs;
δ
≤ 0.02 ; T
amb
= 25 °C
-
25
100
nA
IR
reverse current
VR
= 200 V; T
j
= 150 °C
-
-
100
μA
Cd
diode capacitance
f
= 1 MHz; V
R
= 0 V; T
amb
= 25 °C
-
0.6
5
pF
trr
reverse recovery time
IF
= 30 mA; I
R
= 30 mA; T
amb
= 25 °C;
RL
= 100 Ω; I
R(meas)
= 3 mA
-
16
50
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| BAS21BPT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:FAST SWITCHING DIODE VOLTAGE RANGE 250 Volts CURRENT 200 mAmpere |
| BAS21C | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Switching diode 225 mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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