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参数资料
| 型号： | BAS21AVD,165 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 6/11页 |
| 文件大小： | 222K |
| 描述： | DIODE ARRAY SW 200V SOT457R |
| 标准包装： | 10,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.25V @ 200mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 200V |
| 反向恢复时间(trr)： | 50ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 3 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | 6-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NXP Semiconductors
BAS21AVD
High-voltage switching diodes
BAS21AVD
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? NXP N.V. 2013. All rights reserved
Product data sheet
1 August 2013
4
/
11
600
IF
(mA)
0
0
200
400
mbg384
2
1
VF
(V)
(1)
(3)
(2)
(1) Tj
= 150 °C; typical values
(2) Tj
= 25 °C; typical values
(3) Tj
= 25 °C; maximum values
Fig. 1.
Forward current as a function of forward
voltage
10
1
1
10
103
102
102
104
105
mle165
tp
(μA)
IFSM
(A)
Based on square wave currents.
Tj(init)
= 25 °C
Fig. 2.
Non-repetitive peak forward current as a
function of pulse duration; maximum values
mbg381
200
0
100
Tj
(°C)
10
IR
(μA)
1
10-2
102
10-1
(1)
(2)
(1) VR
= V
Rmax; maximum values
(2) VR
= V
Rmax; typical values
Fig. 3.
Reverse current as a function of junction
temperature
0
10
VR
(V)
Cd
(pF)
20
40
0.6
0.5
0.3
0.2
0.4
30
mle166
f = 1 MHz; Tj
= 25 °C
Fig. 4.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS21DW-7 | DIODE ARRAY 200V 200MA SC70-6 |
| BAS21SLT1G | DIODE SWITCH DUAL 250V SOT23 |
| BAS21TM-7 | DIODE ARRAY 250V 250MA SOT26 |
| BAS21TW-7 | DIODE ARRAY 250V 200MA SOT363 |
| BAS28,215 | DIODE SW 75V 215MA HS SOT143B |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS21AW | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SWITCHING 250V 0.25A SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SWITCHING, 250V, 0.25A, SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, SWITCHING, 250V, 0.25A, SOT323; Diode Type:Switching; Diode Configuration:Dual Common Anode; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:250V; Forward Current If(AV):225mA; Forward Voltage VF Max:1.25V; Operating Temperature Min:-55C;RoHS Compliant: Yes |
| BAS21AW,115 | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW 200V 200MA HS UMT3 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
| BAS21AW115 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BAS21BPT | 制造商:CHENMKO 制造商全称:Chenmko Enterprise Co. Ltd. 功能描述:FAST SWITCHING DIODE VOLTAGE RANGE 250 Volts CURRENT 200 mAmpere |
| BAS21C | 功能描述:二极管 - 通用，功率，开关 Switching diode 225 mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
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