- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录70 > BAS56,235 (NXP Semiconductors)DIODE ARRAY 60V 200MA SOT143 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | BAS56,235 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 257K |
| 描述： | DIODE ARRAY 60V 200MA SOT143 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 200mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 120V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-253-4，TO-253AA |
| 供应商设备封装： | SOT-143B |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BAS56 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 3 — 29 June 2010 3 of 12
NXP Semiconductors
BAS56
High-speed double diode
5. Limiting values
[1] Series connection.
[2] Device mounted on an FR4 PCB.
[3] Single diode loaded.
[4] Double diode loaded.
[5] Tj
=25°C prior to surge.
6. Thermal characteristics
[1] Device mounted on an FR4 PCB.
Table 5. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
VRRM
repetitive peak reverse
voltage
-60V
[1]
-120V
VR
reverse voltage - 60 V
[1]
-120V
IF
forward current
[2][3]
-200mA
[2][4]
-150mA
IFRM
repetitive peak forward
current
[3]
-600mA
[4]
-430mA
IFSM
non-repetitive peak forward
square wave
current
[5]
tp
=1μs-9A
tp
= 100
μs-3A
tp
=10ms - 1.7 A
Ptot
total power dissipation Tamb
=25°C
[2]
-250mW
Tj
junction temperature - 150
°C
Tstg
storage temperature
?65 +150
°C
Table 6. Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Rth(j-a)
thermal resistance from
junction to ambient
in free air
[1]
- - 500 K/W
Rth(j-t)
thermal resistance from
junction to tie-point
- - 360 K/W
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BAS70-04-V-GS08 | DIODE SCHOTKY SS 70V 200MA SOT23 |
| BAS70-04LT1G | DIODE SCHOTTKY DUAL 70V SOT-23 |
| BAS70BRW-7 | DIODE SCHOTTKY 70V 200MW SOT363 |
| BAS70JW-7-F | DIODE SCHOTTKY 200MW 70V SOT-363 |
| BAS70SV | DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT563-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BAS56T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE SW TAPE-7 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Diode Switching 120V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R |
| BAS581-02V | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Schottky Diodes, Single |
| BAS581-02V-GS08 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40 Volt 30mA Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| BAS581-02V-GS18 | 功能描述:肖特基二极管与整流器 40 Volt 30mA Single RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel |
| BAS581-02V-V-G | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Schottky Diode |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。