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参数资料
| 型号： | BAS56,235 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 257K |
| 描述： | DIODE ARRAY 60V 200MA SOT143 |
| 标准包装： | 10,000 |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1V @ 200mA |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 100nA @ 120V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 200mA（DC） |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 60V |
| 反向恢复时间(trr)： | 6ns |
| 二极管类型： | 标准 |
| 速度： | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 二极管配置： | 2 个独立式 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-253-4，TO-253AA |
| 供应商设备封装： | SOT-143B |
| 包装： | 带卷 (TR) |
BAS56 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. ? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet Rev. 3 — 29 June 2010 6 of 12
NXP Semiconductors
BAS56
High-speed double diode
8. Test information
(1) Single diode loaded
(2) Double diode loaded
Fig 5. Forward current as a function of
ambient temperature; derating curves
mbg439
0
0 100
(1)
(2)
200
300
200
100
Tamb
(
°C)
IF
(mA)
(1) IR
=40mA
Fig 6. Reverse recovery time test circuit and waveforms
Input signal: pulse duration tp
= 300 ns; duty cycle δ
= 0.01.
Fig 7. Forward recovery voltage test circuit and waveforms
trr
(1)
+
I
F
t
output signal
tr
tp
t
10 %
90 %
VR
input signal
V = VR +
IF ×
RS
RS = 50 Ω
IF
D.U.T.
Ri
= 50
Ω
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
mga881
tr
t
tp
10 %
90 %
I
input signal
RS
= 50
Ω
I
Ri
= 50
Ω
OSCILLOSCOPE
1 kΩ
450 Ω
D.U.T.
mga882
VFR
t
output signal
V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
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| BAS581-02V-V-G | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Small Signal Schottky Diode |
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